電子工程專輯 20120731 http://www.eettaiwan.com/
在晶圓代工領域一直居於台積電(TSMC)之後的聯電(UMC)，可望藉由率先採用 FinFET 製程技術，領先其競爭對手一步。
儘管十年前，台積電是最初發起 FinFET 構想的主要企業之一。但依照聯電與 IBM 簽署的授權協議，最快在2014年下半年便可採用 20nm FinFET 量產，這要比台積電最新披露的時程提早一年。。
聯電取得的 FinFET 授權是在矽晶圓上製造，而不是在絕緣層上覆矽(SOI)晶圓上，據一位發言人表示。這將使聯電能更快地引進技術，並使用運行20nm 塊狀 CMOS製程來量產。若能確保鰭已經具備良好的矩形截面定義，就能更顯著地展現出性能的差異化，同時，未來在SOI晶圓上生產FinFET時也能進一步改善漏電流性能。
在聯電第二季法說會中，當被問到聯電準備在2014年推出20nm FinFET時，聯電CEO孫世偉並沒有反駁。
他接著表示，聯電的首次FinFET元件將以和20nm平面CMOS相同的20nm後段製程為基礎。他表示，許多公司都採取相同做法，但有些人將之定義為16或14nm製程。他進一步指出，這實際上只是行銷手法罷了。
台積電最近表示，其首個 FinFET 製程將會搭配16nm節點，而且可能會在2015年下半年量產。不過，台積電也會在20nm後段製程中使用 FinFET ，因此，該公司的 FinFET 時程表可能還會有變數。
編譯： Joy Teng
(參考原文： UMC set to beat TSMC to FinFET process ，by Peter Clarke)