華邦電(2344)去年第四季營運較辛苦，展望本季，目前產品價格下滑幅度趨緩，公司並預計最快今年第四季首度推出NAND Flash，並提升製程，優化產品組合及降低成本。
華邦電子2011年第四季受到硬碟缺貨衝擊，單季毛利率轉負，單季稅後虧損11.89億元，單季每股虧0.32元；去年轉虧，去年全年每股稅後虧0.23元。
華邦電總經理詹東義今日表示，去年第四季受到硬碟缺貨衝擊，營運較辛苦，今年將以提供更完整的產品線為主要營運目標。華邦去年營收比前年減少15%，公司評估今年營收無法回到前年的水準，但預期明年(2013年)可回到2010年的水準。
華邦電預估今年資本支出新台幣33億元，主要為提升製程所需，其中，58奈米製程NOR Flash投片量提高至月產能六千片，46奈米的Specialty DRAM月產能提升至九千片；上述產品於去年第四季已量產，今年第二季可望看到成效。
華邦電目前整體月產能為3.5萬片，第四季各產品線占營收比例與第三季接近，Specialty DRAM為47%，NOR Flash為37%，Mobile RAM為14%。今年預期NOR Flash預計將提升至四成。
展望2012年，華邦將持續聚焦於全方位中低密度記憶體之解決方案，加速製程轉換，推出多元性產品組合。Flash將聚焦於小尺寸封裝產品，增加網通應用及手持裝置的市場佔有率，並進一步發展儲存型快閃記憶體（NAND Flash）產品線，預計於2012年底至2013年第一季左右推出新產品。
在Specialty DRAM方面，華邦預期，HDD產能將在上半年逐漸恢復正常，華邦將持續改善Specialty DRAM產品組合。Mobile RAM則積極佈署46nm製程產品，除了強化中密度Low Power DRAM產品線於PC周邊設備及手持裝置應用，高密度Pseudo RAM亦可望挹注未來營收表現。