2025/09/05 05:30  
漢磊宣布對SiC客戶開放第4代平面型MOSFET平台，元件面積較上一代約縮減20%，改善導通電組（Ronsp）也達20%，以因應AI、電源應用及客戶需求。（資料照）
化合物半導體廠漢磊（3707）宣布推出碳化矽（SiC）第4代平面型MOSFET技術製程平台，帶動漢磊昨股價再強勢拉出第2根漲停，直奔54.2元，創今年新高價，成交量2.87萬張。外資連5買漢磊，累計買超3542張，自營商連2買合計734張。
漢磊宣布對SiC客戶開放第4代平面型MOSFET平台，元件面積較上一代約縮減20%，改善導通電組（Ronsp）也達20%，以因應AI、電源應用及客戶需求。不過，業界認為，SiC目前供給過剩，漢磊推出新平台對挹注營運如何，還有待觀察。
漢磊今年上半年受到短期終端需求仍面臨庫存調整的壓力，營運出現虧損，每股稅後虧損1.02元，該公司預期下半年終端需求將逐步復甦，展望後市，樂觀看待化合物半導體發展，在節能減碳趨勢的帶動，預期化合物半導體功率元件需求也必擴大。（記者洪友芳）