(中央社記者張建中新竹2010年6月30日電)DRAM 廠製程
技術紛紛加速於今年下半年推進至40奈米世代，恐將引
發價格走跌，集邦科技預期，明年DRAM均價將下挫3成
，不過，DRAM廠仍可望維持獲利狀態。
集邦科技表示，全球動態隨機存取記憶體 (DRAM)
與儲存型快閃記憶體 (NAND Flash)龍頭廠三星電子決
定將今年記憶體事業群投資金額由5.5兆韓元 (約48億
美元)，擴大到9兆韓元 (約78億美元)。
三星將興建20萬片的12吋晶圓廠，生產DRAM與NAND
Flash，估計新廠最快明年第3季投片生產；此外，三星
下半年也將擴充現有產能，並將DRAM製程技術轉進35奈
米，同時將強化晶圓代工業務。
集邦指出，三星是今年全球DRAM業資本支出金額最
大的廠商，所佔比重將達41%；隨著擴大投資，三星
DRAM全球市佔率也將進一步攀高，明年有機會突破4 成
水準。
面對三星擴大投資，集邦表示，其他DRAM廠也將積
極強化競爭力，海力士將加速DRAM製程技術推進至44奈
米；美光陣營也加速製程技術推進至42奈米。
爾必達旗下DRAM製造廠瑞晶42奈米製程技術也將於
7月正式投片。
集邦表示，隨著DRAM廠製程技術陸續推進，產出將
增加，並將帶動價格走跌，預期明年DRAM均價恐較今年
下滑3成，不過，價格下跌可望刺激DRAM搭載容量擴增
至4GB。
此外，集邦指出，DRAM廠成本也將隨著製程技術推
進而下降，明年DRAM廠普遍仍可望維持獲利狀態。