： 記憶體模組32GB40奈米
三星電子(Samsung)宣佈開始提供號稱業界最高密度記憶體模組樣品予伺服器系統使用，此32 gigabyte (GB)模組是專門設計給需要在低功耗狀態下，達成高密度與高效能的先進伺服器所使用。
三星使用40奈米級的4Gb DDR3晶片做為新款32GB模組的基礎。去年三月，三星發表基於50奈米級2Gb產品完成的16GB RDIMM，只在一年內，三星再度發表新款的32GB模組。高效能32GB RDIMM是由36個雙晶片(dual-die)、 40奈米級的4Gb DDR3晶片所組成，可以實現等同於或甚至優於40奈米級16GB RDIMM的效能，並且不會增加任何功耗。
透過搭配雙CPU與32GB模組的雙路(two-way)伺服器，一個伺服器系統的記憶體可擴充至384GB，相較於之前一個伺服器最大密度可達192GB，此可達成雙倍的密度，並且，相較於基於16GB模組的伺服器系統，其所需的功率增加少於5% 。
此外，使用6個32GB模組來代替12個16GB的DRAM模組以達成192GB的總密度，在雙路伺服器系統的DRAM的運作速度可提昇33%，由800 Mbps增加到1,066 Mpbs，而所需功率則減少40%。
在高效能的四路(four-way)伺服器使用16GB模組，1 terabyte (TB)的DRAM是很平常的事，透過使用32GB RDIMM，三星可為四路伺服器提供2TB DRAM，並深信這樣的轉移將刺激推出更多樣化的軟體，以及更廣的伺服器應用規模。
32GB RDIMM預定在下個月開始量產