台積電（2330）近期搶盡全球媒體與投資人目光之際，南韓三星電子出面喊話，強調該公司在3奈米採用環繞閘極（GAA）架構的研發進度將可領先台積電，不讓台積電專美於前。

南韓媒體Business Korea報導，三星電子裝置解決方案事業部門技術長Jeong Eun-seung周三（25日）在一場網路技術論壇中，釋出上述訊息。對於相關報導，台積電不回應競爭對手相關動態消息。

Jeong Eun-seung在該廠技術論壇中發表專題演講時指出：「三星開發中的GAA技術，領先主要競爭者台積電。一旦鞏固這項技術，我們的晶圓代工事業將可更加成長。」

三星表示，與台積電在技術方面的競爭近身肉搏，Jeong說：「三星的晶圓代工事業2017年才開始，不過我們將以在記憶晶片領域的技術根基，超車台積電。」他舉例，三星曾在台積電之前，就將鰭式場效電晶體（FinFET）技術應用在一項14MHz產品。

Business Korea指出，GAA是3奈米製程的關鍵，全球大型晶圓廠不久的將來將會採用這項技術。GAA技術的優點在於改變電晶體架構，將其由鰭式場效電晶體（FinFET）的3D轉為GAA的4D。三星2019年與客戶測試其所設計的3奈米製程，結果顯示，GAA技術縮減晶片面積程度達到45%，功率效率增加50%。

不過，半導體業分析師強調，誰可以率先將GAA技術商業化，還需要再觀察，主因以2011年到2020年全球申請GAA相關專利的案件數來看，台積電占比為31.4%，比三星的20.6%還要多。台積電也非常活躍，想搶先將GAA商業化。

據了解，台積電明年3奈米量產計畫仍順利進行中，並且有信心鰭式場效電晶體（FinFET）架構更獲得客戶支持，因此將研發技術實際運用於明年量產上有客戶群廣泛優勢。

台積電業務開發副總張曉強日前在技術論壇上透露，台積電認為繼續採用鰭式場效電晶體（FinFET）架構開發3奈米製程，是能幫助客戶取得成功的最佳方案。

台積電先前已預期，3奈米效能可較5奈米提升10%至15%，功耗減少25%至30%，邏輯密度增加1.7倍，SRAM密度提升1.2倍、類比密度則提升1.1倍等。目標3奈米量產第一年，客戶產品量能達到5奈米兩倍以上，廣泛應用於智慧機與高速運算（HPC）平台。