【鉅亨網編譯張正芊 綜合外電】 全球第2大記憶體製造商海力士 (Hynix Semicondu ctor Inc.﹔000660-KR) 周五公佈，第 2 季呈現連續第 7 季虧損，因 DRAM 晶片需求冷淡，使得售價漲勢仍嫌 疲軟。
海力士第 2 季虧損由去年同期的 7110 億韓元，縮 小至 580 億韓元 (4640 萬美元)，遠遜於分析師預估中 值獲利 770 億韓元，但較前季的 1.178 兆韓元虧損顯 著改善。
該季營業虧損較去年同期擴大，由 1720 億韓元增 至 2110 億韓元。銷售額則年減 10% 至 1.676 兆韓元 。
該季 DRAM 晶片平均售價由前季的年減 7%，改善至 年增 20%。NAND 快閃記憶體晶片平均價格，亦由前季的 年減 2% 改善至年增 23%。
該季衡量 DRAM 晶片銷量成長的位元成長，較前季 上升 10%﹔而 NAND 晶片的位元成長更達 40%。
以合併營業角度計算，海力士該季營業毛虧損率由 前季的 39%，改善至 13%。
海力士預期今年下半受到季節性需求強勁加持，獲 利情況可望進一步改善。公司認為第 2 季儘管季節性因 素薄弱，但因 DRAM 及 NAND 快閃晶片價格走揚帶動， 加上刪減製造成本，使得獲利情況顯著改善。
海力士預期今年下半在公司加強技術競爭力，以及 強勁季節性需求加持之下，將可與對手拉開領先差距。 另外今年底 DDR3 (第 3 代雙倍資料率) 晶片在公司總 DRAM 生產的比例，將可超越 40%。