2026-08-19 10:30:20　新聞來源 : 科技島

記憶體漲價還沒完！摩根士丹利示警DDR4恐再漲50% HBM搶產能成關鍵




記憶體市場供應吃緊情況恐怕還會持續惡化。摩根士丹利最新預估，受到記憶體廠持續將產能轉向高頻寬記憶體（HBM）、DDR5與高層數NAND影響，成熟型DRAM與NAND供應進一步縮減，其中DDR4價格預計2026年第三季將上漲50%，第四季再漲10%，消費性電子產品成本壓力可能持續升高。記者彭夢竺／編譯


記憶體市場供應吃緊情況恐怕還會持續惡化。摩根士丹利最新預估，受到記憶體廠持續將產能轉向高頻寬記憶體（HBM）、DDR5與高層數NAND影響，成熟型DRAM與NAND供應進一步縮減，其中DDR4價格預計2026年第三季將上漲50%，第四季再漲10%，消費性電子產品成本壓力可能持續升高。


不只是DDR4，SLC NAND面臨的漲價壓力更加明顯。摩根士丹利預估，SLC NAND價格在今年第三季與第四季都可能分別上漲50%。




摩根士丹利最新預估，成熟型DRAM與NAND供應進一步縮減，其中DDR4價格預計2026年第三季將上漲50%。（圖／AI生成）


記憶體廠產能轉向HBM DDR4供應越來越少


這波成熟記憶體漲價並非單純來自需求暴增，更大的原因來自供給端。隨著AI伺服器需求快速成長，各大記憶體製造商正把更多晶圓產能轉移至HBM、DDR5以及更高層數NAND產品，使DDR4及SLC NAND能夠取得的產能持續萎縮。


尤其HBM對晶圓產能的消耗明顯高於傳統DRAM。報導指出，HBM所需的矽晶圓約為傳統DRAM的3倍，除了與垂直堆疊結構有關，矽穿孔（TSV）周圍無法配置記憶體單元，也進一步影響晶圓利用效率。


在AI基礎設施持續擴張下，HBM需求短期內也看不到降溫跡象。瑞銀先前預估，2027年整體產業HBM需求量可能達到約615億Gb，其中光是輝達（NVIDIA）就可能消耗約251億Gb，占整體需求超過4成。


DDR5也降不下來 8月現貨價再漲8%


即使記憶體廠正在把產能轉向較新的DDR5，也不代表DDR5價格就會因此下降。根據美國銀行數據，DDR5-5600／6400 24GB現貨價格光是在8月就較前一個月上漲8%，與去年同期相比更暴增483%。


報導指出，一顆24GB DDR5記憶體晶片在2025年中價格約為8美元，如今已逼近47美元，反映新一代DRAM同樣面臨強勁的價格上漲壓力。


AI搶走晶圓產能 成熟記憶體反而更缺


過去新一代記憶體技術逐漸普及後，舊規格產品通常會隨著市場轉換而逐步降價，但這波AI帶動的記憶體產業變化，卻讓市場出現不同局面。


記憶體廠為了滿足AI伺服器對HBM的龐大需求，持續把有限的晶圓與製造資源投入高附加價值產品，使DDR4等成熟產品即使技術已經不是最新，供應量卻快速縮減。


摩根士丹利的預測顯示，目前記憶體市場面臨的不只是HBM需求旺盛，而是產能重新分配帶來的連鎖效應。從HBM、DDR5一路到DDR4與SLC NAND，不同記憶體產品都可能持續承受價格壓力，也讓AI熱潮進一步影響PC及消費性電子產品的硬體成本。