台積電、瑞薩在微控制器技術合作擴大至40奈米
2012/05/28 15:47 時報資訊
【時報記者沈培華台北報導】台積電 (2330) 、瑞薩電子今（28）日共同宣布，雙方已簽署協議，擴大在微控制器(MCU)技術方面的合作至40奈米嵌入式快閃記憶體(eFlash)製程，以生產應用於下一世代汽車及家電等消費性產品的微控制器。
瑞薩電子先前已同意採用台積公司90奈米嵌入式快閃記憶體製程為該公司生產微控制器；在此40奈米微控制器合作案中，瑞薩電子將委託台積電 (2330) 生產40奈米及更先進製程的微控制器。
瑞薩電子與台積公司將共同合作在MCU平台與製造所需的先進技術上取得領先地位，結合瑞薩電子支援高可靠性及高速優勢的金屬氧化氮氧化矽（Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon， MONOS）技術與台積電高品質技術的支援，包括先進的互補金屬氧化物半導體（CMOS）製程與靈活的產能調度。
此外，藉由將此MONOS製程平台提供給遍佈全球的其他半導體供應商，包括無晶圓廠（Fabless）公司及整合元件製造商（IDM），瑞薩電子與台積電將致力於建置一個設計生態環境，並且擴大客戶群。
瑞薩電子資深副總岩元伸一表示，為了達到全球業務持續成長的目標，台積公司能夠提供其產品迅速量產的優勢，並且給予最大的彈性，因應市場劇烈波動時的需求。根據去年歷經日本大地震衝擊多條生產線與客戶業務之後所學習到的經驗，瑞薩已經加快晶圓廠網路（Fab Network）的佈建，成為公司營運持續計畫（Business Continuity Plan， BCP）之中的一環。
台積公司表示，相較於目前的90奈米製程，採用40奈米製程生產的微控制器產品具備更高速、更低功耗的優勢，而且晶片尺寸縮小逾50%，這些特性對於整合型微控制器的設計格外重要，該設計將邏輯晶片、記憶體及其他系統零組件壓縮至極小的面積上。