記憶體一周商情綜述20101122~20101126
【時報-記者高子惠綜合報導】◎DRAM市場DRAM方面，本周現貨市場走勢持續疲弱，一周來整體價格跌幅約1-3%；縱觀一周來走勢，其中DDR3 2Gb 1333MHz跌幅最重，單周跌幅約3.33%，周四收市價為2.32美元，為9月底開始報價以來新低；DDR2 1Gb 800MHz也下跌1.38%，DDR 512Mb 400MHz也下跌2%，周四收市價分別為1.43美元及1.47美元。
集邦科技表示，今年DDR3 2GB合約價格自2010年上半年的高點46.5美元後一路走跌，10月下旬跌破30美元。11月上旬均價約25美元，與今年高點相比跌幅達46%；筆記型電腦也因傳統旺季需求不暢旺，季成長僅2.6%。
DRAM產出方面，因供大於求影響，再加上 DRAM廠商有銷貨上的壓力，以較低的價格爭取訂單，皆造成10月下旬合約價加速趕底。集邦科技預估今年年底DDR3合約價格可能下看20美元，季跌幅將超過30%。
展望2011年，DRAMeXchange 預估，價格可望在明年第一季或第二季落底。預期明年第一季，低價DRAM可望刺激電腦廠商增加DRAM 搭載率。
DRAMeXchange預估2011年DT以及NB單機搭載率分別成長至4.22GB/4.00GB，年增率36%以及31%。市場期望DRAM搭載的成長，能讓市場由超額供給回復至供需平衡，下半年市場價格將有機會走穩。
◎NAND Flash市場而本周NAND Flash市場方面，因市場動能活絡，主要集中於16Gb MLC及32Gb MLC，相對低價部位需求力道強勁，但在原廠供貨緊縮消息釋出後，供應端大幅調漲報價，買氣略為趨緩，整體顆粒價格普遍呈現上揚走勢，不過實際成交量仍有限；縱觀一周來走勢，其中32Gb MLC及8Gb MLC一周來分別上漲5.34%及5.16%，16Gb SLC也上漲1.67%，不過低容量規格方面則小幅下滑，1Gb SLC下跌0.65%，4Gb MLC也下跌1%。
集邦科技表示，就NAND Flash的需求來看，明年上半年雖受淡季因素影響，呈現供過於求的狀況，但第一季在中國農曆年假期與平板電腦及智慧型手機新機種上市的助益下，預期第一季NAND Flash市場受淡季的影響程度將會低於第二季，由於近期主要的NAND Flash廠商均已考量將稍微放緩明年產出成長的速度以紓緩明年市場供過於求的影響，因此我們認為明年下半年在新產品上市及旺季效應需求的帶動下，NAND Flash市場將可回復到較平衡的狀況。
(新聞來源：商品行情網www.info-cip.com)