2025/02/27 05:30  
成大半導體學院晶體研究中心昨揭牌，左起教育部主秘林柏樵、國科會處長賴明治、成大晶體研究中心主持人周明奇教授、成大半導體學院院長蘇炎坤、成大主秘羅偉誠、台達機電事業群副總蔡清雄。（記者吳俊鋒攝）
〔記者吳俊鋒／台南報導〕成功大學在南科建置的晶體研究中心昨天揭幕、啟動，為國內唯一具備超高溫（二三○○℃以上）大尺寸碳化矽（SiC）晶體生長技術的學術機構，將攜手產業夥伴，加速技術移轉，推動碳化矽與氧化鎵材料在半導體、光學、雷射與醫療等領域的應用，提升台灣在全球市場競爭力。
突破 SiC技術 創新半導體、雷射產業優勢
成大晶體中心設於台南科學園區的台達大樓，由該校教授周明奇擔任主持人，在國科會與教育部長期下支持，已突破高溫碳化矽晶體生長的技術瓶頸，可生長大尺寸、高純度的碳化矽晶體，為台灣半導體與功率元件產業提供關鍵材料。
晶體中心也於立陶宛、拉脫維亞等波羅的海國家設立研究據點，與當地團隊攜手開發高功率薄片雷射系統（TDL），該技術有望應用於先進雷射醫療、精密加工、光通訊等領域，鞏固台灣在國際晶體技術市場的競爭優勢。
周明奇表示，晶體中心的新技術，將大幅提升電動車、5G通訊、高效能電源管理等應用的效能，協助台灣產業搶占全球市場先機，在氧化鎵領域也取得重大進展。
周明奇指出，氧化鎵因擁有超寬能隙特性，被視為下一代高功率電子元件的重要材料，透過特殊設計的熔融法生長技術，中心團隊已成功製備出高品質氧化鎵晶體，未來將加速商業化應用，助攻台灣關鍵產業升級。他強調，晶體研究中心的成立，吸引國內外龍頭企業大力支持，斥資建置最先進的晶體生長設備，且專注於氧化鎵技術開發與技術轉移，讓研究規模擴增三倍，推動台灣在全球晶體技術競爭中的領導地位。