【楊喻斐╱台北報導】NAND Flash供應商積極投入3D NAND研發，過去以韓系廠商腳步較為積極，現在就連美日大廠也陸續跟進。封測大廠力成（6239）董事長蔡篤恭表示，3D NAND的技術加上封裝的堆疊技術，可望大舉推動SSD滲透率攀升，未來1~2年之後，將快速取代現有傳統硬碟。
3D NAND Flash（儲存型快閃記憶體）於2013年正式問世，當時由三星領先量產並命名為V-NAND，並發表首款採用3D NAND Flash的SSD（Solid State Disk，固態硬碟），隨後東芝、美光、英特爾等也不約而同聚焦3D NAND Flash的發展，今年開始陸續有重大的突破，繼美光與英特爾共同發表新型3D XPoint記憶體技術後，東芝與新帝也將推出最新的3D NAND產品。
1~2年後將取代硬碟
東芝與新帝本周將宣布共同開發快閃記憶體的合作，已進入新的里程碑，東芝表示，新帝採用此款3D NAND晶片的儲存產品，預計在今年底前出貨。另外，英特爾與美光攜手合作推出的32層3D NAND晶片將在第4季之前投入量產、三星發表第3代V-NAND晶片，也預計在今年下半年開始量產。
隨著3D NAND產品陸續進入量產，台系記憶體封測廠力成、南茂（8150）也將同步受惠。力成董事長蔡篤恭表示，公司長年來投入NAND Flash堆疊技術已久，加上3D NAND的需求逐漸增溫，看好未來該產業趨勢發展，尤其進入3D NAND時代之後，更加考驗封測廠的測試能力以及堆疊技術，可以讓力成與客戶的關係更加緊密。
蔡篤恭指出，3D NAND的技術加上封裝的堆疊技術，未來SSD當中NAND Flash的數量將大幅提升，容量增加，只要小小一顆晶片，效能就很大，相信未來1~2年之後，將會快速取代現有的傳統硬碟，屆時也將掀起更多3D NAND封測需求。