行動 發達集團副董事長
來源:財經刊物   發佈於 2014-11-11 15:06

美光台日擴產 DRAM產能有望追過三星

2014-11-11 聯合晚報 記者徐睦鈞/台北報導
據日經新聞報導,全球第三大DRAM廠美國美光科技(Micron)將投資日本廣島廠約1000億日圓(8.66億美元),以提高DRAM晶片產能。若加上日前該公司宣布提高在台灣的代工廠上市股華亞科(3474)產能,美光在台日兩地未來的產能將增加20%,有望追過龍頭三星電子。
惟近期DRAM業在三大廠陸續宣布擴產消息後,也持續引發2016年之後的供過於求疑慮,DRAM股華亞科及南亞科(2408)今同步下跌,反應平淡。
日經新聞報導,這座位於日本廣島縣的晶圓廠係過去屬於爾必達記憶體公司。美光已在去年夏天收購日本爾必達。美光計畫引進20奈米製程,預計該廠的DRAM晶片產能將較先前採用的25奈米技術提高20%。為了追趕龍頭三星電子,美光日前也已提高在華亞科的代工產能,華亞科在明年度的資本支出部分,一舉調高至500億元,主要為加快轉進20奈米技術的腳步。
報導中亦指出,美光在台日的擴產計劃,預計將使其總DRAM產出增加20%。美光預計,本財年全球資本投資規模達到38億美元,其中半數將投資DRAM晶片。
執行長Mark Durcan透露,美光計畫明年推出具3D結構的高容量NAND 快閃記憶體。三星已經開發出此類產品。

評論 請先 登錄註冊