DRAM廠急煞車，明年標準型DRAM年位元成長率將創歷史最低
根據市調單位集邦科技的調查統計，因DRAM廠商流血輸出情況嚴重，為此，一來放緩2013年標準型DRAM製程推進的速度，明年多仍以30奈米為主，以避免供過於求的狀況繼續惡化，2013年標準型DRAM供給位元成長率僅22.2%，為歷年來最低水位。
受到總體經濟影響，各DRAM廠的顆粒價格已經逼近甚至跌破現金成本，需求遲遲未見起色，打亂DRAM供應商原先要轉出PC DRAM產能的腳步，目前仍呈現供過於求狀態。時序即將進入2013年，各家廠商亦著手進行明年生產策略規劃，集邦觀察，即便是身為產業龍頭的三星半導體，對明年的資本支出以及位元成長也保持高度謹慎態度；除了放緩28奈米的轉進時程之外，在EUV時代前僅計畫再轉進至25奈米，並且以獲利率的考量下，將先進製程優先導入行動式記憶體，顯見整個產業策略的重心已經從過去的PC DRAM轉向手持式裝置。
集邦進一步分析，往年受到PC換機潮的帶動，DRAM供應商莫不加緊腳步做製程轉進，以求成本結構的最佳化，從2009年的60奈米直到2012年的30奈米，每年幾乎是以1-1.5世代做交替。然而，除了受到總體經濟持續低迷的影響，PC出貨量逐年衰退，再加上近年來智慧型手機與平板電腦排擠消費者原本就有限的預算，使得PC的換機週期由原先平均2-3年拉長至4-5年間，買氣遲遲無法有效提升。
就DRAM供給端而言，製程演進同時換來大量增產，造成近年供過於求市況持續，DRAM產值不斷萎縮，絕大部分的廠商遭受嚴重虧損，資本支出規模亦逐年下降。以市占最大的韓系廠三星與SK海力士而言，現今主流製程仍以30奈米為主，至於最先進的20奈米由於設計難度甚高，預估要明年第二季後才有過半的產出量，正式成為出貨最大宗。由於三星的20奈米仍以伺服器記憶體與行動式記憶體為主，標準型DRAM的生產反而會以40與30奈米持續供應，預估明年供貨的位元增長僅為19%，與往年相較已呈現大幅趨緩。美光與爾必達正在進行30奈米的製程轉進，其中爾必達已經完成客戶驗證，逐月放大該製程出貨量。
但對台系廠而言，由於虧損幅度較大，除了製程演進速度逐步趨緩以外，也規劃將PC DRAM產能陸續移出。後續南科將會淡出標準型DRAM的供給，轉進利基型記憶體及代工業務，而力晶標準型記憶體出貨也已大幅下修，目前每月投片量僅剩2萬片。在各生產者有共識的將腳步放緩的前提之下，集邦預估，2013年的位元供給增長僅有22.2%，為歷年來最低水位。
目前DRAM產業仍是完全競爭市場的態勢，在嚴重供過於求的情況下，決定價格的控制權仍掌握在買方上。而現在無論是合約或現貨市場，4GB模組價格都已跌到歷史新低，且尚未觀察到買氣復甦跡象。價格能再下探的幅度有限，短期之內除了減產以縮減供貨量外，長遠而言，仍需要各競爭廠商一致性的調節產能，縮小資本支出期許2013年DRAM產業回歸健康面。