聯電 (2303) ( (US-UMC) )今(6)日宣佈，與意法半導體合作65奈米CMOS影像感測器背面照度BSI技術。雙方先前已順利於聯電新加坡Fab 12i廠產出意法半導體的前面照度式FSI製程，奠基於之前的成功經驗，此次合作將更進一步擴展兩家公司的夥伴關係。
此1.1um像素間距的BSI製程，將於聯華電子新加坡Fab 12i廠展開研發，並將以開放式平台模式供客戶採用，以協助客戶迎接高解析度與高畫質(千萬像素以上)尖端智慧手機世代的來臨。
聯電負責12吋營運的資深副總顏博文表示，很高興與意法半導體攜手研發此次的專案，擴展與這位長期夥伴的合作關係。此次協議貫徹了聯電開放式平台的合作策略，以提供客戶導向晶圓專工解決方案，來因應日益攀升的市場需求。聯電期待藉著增加此CIS BSI製程，在未來更進一步地強化全方位的技術組合。
聯電在CIS領域的優異實力，包含現有的8吋與12吋CIS製造解決方案，以滿足多元化的市場需求。此次新開發的65奈米CIS技術，將具有BSI製程足以因應長期需求的優勢，除了可用於現今應用產品之外，預期未來也可應用於車用電子與工業領域。
65奈米BSI製程係針對快速興起的應用產品所推出，諸如智慧手機、平板電腦、高階監視器、以及消費型數位相機/數位單眼相機等，都將可在取得意法半導體的授權後採用。