2026-09-14 15:33:09 數位內容中心 發佈
Micron Technology（MU.US）
9月資料顯示，Micron的HBM4已量產並供應NVIDIA Vera Rubin平台，規格為12-Hi、36GB、2,048I/O，單堆疊頻寬超過2.8TB/s。公司並規劃在2026年底前把HBM晶圓產能提升至約10萬片/月，主軸已明確轉向高頻寬記憶體擴產。
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SK hynix（SKHY.US）
本週資料顯示，SK hynix在2026年第2季HBM營收市占率為50%，仍居領先，並已公開12層高頻寬記憶體第四代增強版（HBM4E）樣品，速度可達16Gb/s。這使其本週最明確的訊號，仍是先以市占守住主導權，再推進下一代規格。
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Samsung Electronics
本週已揭露規格顯示，Samsung把HBM競爭焦點推向更高頻寬，HBM4單堆疊最高可達3.3TB/s，12層HBM4E最高可達3.6TB/s。封裝路線上，公司在HBM3E採用TC-NCF，並將混合鍵合（Hybrid Bonding）視為16層以上產品方向。
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SanDisk（SNDK.US）
本週SanDisk最值得記住的是，已完成首款高頻寬快閃記憶體（HBF）晶片流片，並預計2027年推出、2028年量產。公司表示，HBF可在相同頻寬下提供8倍至16倍容量，顯示其正把NAND產品線往AI所需的高頻寬記憶體延伸。
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Kioxia
9月8日，Kioxia社長太田裕雄表示記憶體價格「已經漲得夠高了」，成為本週NAND價格降溫最直接訊號。同時公司仍規劃在2032年前與SanDisk於日本投資約310億美元，並推進北上工廠第3廠房K3，顯示價格態度轉慎但投資未停。
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Western Digital（WDC.US）
9月12日，Western Digital表示2027年前AI帶動的硬碟需求仍將高於供給，且大部分2027年產能已透過長約鎖定。公司正量產32TB ePMR，第一代熱輔助磁記錄（HAMR）由4家大型雲端客戶驗證，預計2027年上半年開始出貨。
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