電子工程專輯20101230
2011年 DRAM 市場將會是什麼景況？以下是投資銀行Barclays Capital分析師 C.J. Muse 收集產業界各方消息所歸納出的五項發展趨勢：
1. DRAM市場走下坡
Muse表示，2011年 NAND 市場前景不錯，但DRAM市場可能相反；主要是因為平板裝置開始蠶食低階筆記型電腦與迷你筆電(netbook)市場，在這種情況下，原本較小尺寸筆記型電腦所搭載的DRAM量，平均每台約2GB，卻被代換成平板裝置每台僅256Mb、也就是只有1/8的平均搭載量，意味著DRAM將供應過剩。
2. 轉向3x奈米製程
整體看來，所有的DRAM供應商都開始轉向3x奈米製程，包括三星(Samsung)與海力士(Hynix)；日本爾必達(Elpida)也在試圖從65或6x奈米直接跳到3x奈米，期望能因此大幅縮減成本。
3. 韓廠雙強獨大
DRAM市場不同於NAND市場仍存在眾多一線廠商，已開始呈現韓國兩大廠商獨霸的狀況，目前僅有三星與海力士能稱為DRAM市場的一線供應商(以技術水準與獲利表現來看)，美光(Micron)、南亞科(Nanya)、華亞(Inotera)則是二線廠商(財務狀況與技術水準稍遜)，至於爾必達、力晶(powerchip)、瑞晶(Rexchip)則排第三線(技術水準與財務狀況都有很大的進步空間)。
三星是DRAM市場最受關注的焦點，目前該公司也壟斷了30奈米製程DRAM生產所必需的NXT微影工具訂單；今年度，三星最成功之處在於提高了DRAM市場佔有率，估計2010年全球DRAM市場成長率在45~50%之間，該公司的DRAM業務成長率可高達70%。
緊追於三星之後的另一家一線廠商海力士，目前唯一的問題是負債與管理階層，而這些狀況可望在 2011年獲得解決；海力士在中國無錫廠生產4x奈米與3x奈米的DRAM，在其產品架構於明年由8F2轉進6F2之後，可望取得更進一步成長動力。
4. 美光陣營面臨艱困時刻
美光(Micron)在2009年曾有一度可名列一線廠商，但其前景取決於溝槽式製程轉換至堆疊式製程的順利與否；雖然該公司在2010年初曾出現訂單量大增，但良率表現不太令人滿意，整年度的位元成長率表現也不佳。
由於製程轉換不順，美光的合作夥伴南亞科與華亞的50奈米製程良率問題也未解決，因此美光要轉進40奈米與30奈米，恐怕會很艱難；但Muse預期，明年也許會有一些轉機。
5. 爾必達的豪賭
爾必達目前正盡全力想成為領導級廠商，在日本與台灣兩地積極募資；此外在技術部分，該公司開發出65奈米微縮製程65奈米XS，搶在DRAM價格仍不錯的時候多賺一些利潤；同時也試圖躍進40奈米與30奈米製程。
(參考原文： Five trends for DRAMs，by Mark LaPedus)