2025-02-26 18:10:02 記者 周佩宇 報導
南亞科(2408)今(26)日舉行媒體交流會，相較於前次法說會，總經理李培瑛(附圖)對記憶體市場的展望更趨樂觀，主要受到中國政府刺激方案、產業供需調整以及AI應用成長等因素帶動。隨著政策支持推動手機與消費性市場需求回溫，加上三大DRAM廠持續擴充AI產品產能，非AI產品的產出比例降低，庫存調整的速度可望加快。雖然市場變動仍然快速，價格上半年仍有壓力，然若供需趨勢維持現狀，下半年價格有望逐步回升。

而在中國市場方面，李培瑛表示，當地記憶體廠商的產能持續擴張，然而，受到中美貿易關係影響，部分設備供應商無法提供技術支援，可能對中國廠商的生產進度與市場供需造成影響。儘管如此，產業發展的核心仍取決於市場需求變化，特別是非AI應用市場的成長動能，將成為影響整體產業的關鍵因素。

依各應用市場區分，中國手機市場仍是影響供需平衡的重要因素。受中國政府刺激方案及庫存調整影響，當地手機市場的庫存水位已回到較為正常的水準，帶動市場逐步改善。PC市場則因AI PC應用趨勢漸趨明確，雖然短期內難以大幅成長，但預期穩步提升，進而帶動DRAM搭載量增加。消費性電子市場亦因經濟回溫，需求回升，整體供需關係呈正向發展，雖然尚無法確定市場完全復甦，但已逐步展現回溫跡象。

針對中國記憶體廠商的競爭，李培瑛表示，南亞科無法與中國廠商在資本支出與產能擴充方面競爭，因此將採取差異化經營策略，透過提升核心價值與發展客製化業務，尋求市場突破。他強調，公司不會直接投入標準HBM產品，而是專注於客製化HBM製程與應用，鎖定AI PC、AI手機、機器人與汽車等終端應用，目標是在明年底前完成市場驗證，進一步確立南亞科在AI市場的定位。

談及HBM的技術發展，李培瑛指出，HBM的核心技術涵蓋四大關鍵要素，包括高密度DRAM、3D IC多晶片封裝、高頻寬記憶體設計，以及先進製程的基礎裸晶（Basedie）。先進製程的基礎裸晶技術，隨著HBM3e、HBM4世代的發展，未來將對高端邏輯製程的需求提升，這也為南亞科帶來新的切入機會。

李培瑛進一步說明，南亞科在前三項要素已可供應客戶，但由於公司未涉及邏輯製程開發，因此需要透過生態系夥伴與客戶合作，填補技術上的缺口。南亞科已與封測廠福懋科(8131)合作，建立3D IC多晶片堆疊能力，另投資普丁科技，共同開發高效能、低功耗記憶體解決方案，進一步鞏固技術優勢。

(圖片來源:資料庫)