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高通TD晶片直攻4G,明年中量產
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發達公告
ㄚ桂
發達集團營運長
來源:
財經刊物
發佈於 2010-09-11 19:07
高通TD晶片直攻4G,明年中量產
3G晶片龍頭高通(Qualcomm)昨(9)日宣佈,目前正於上海世博會展示的高通TD-LTE晶片,今年下半年進行測試後,將在明(2011)年中正式量產投入商用市場。由於在TD SCDMA晶片領域,目前已呈現天碁、聯芯、聯發科、展訊、晨星等多家競爭的局面,後進者的高通將憑藉著領先的技術,跨過3G,直攻下世代TD LTE 4G的市場。
在8月中旬市場就傳出高通內部已經確定TD-LTE晶片將在今年進行試驗,明年年中將正式投入商用,而這個訊息昨日也由高通正式對外宣佈。高通表示,公司的TD LTE晶片(MDM9200解決方案)目前正在上海世博會展示,且即將邁向商用化。
高通表示,此款TD LTE晶片同時具備2x2 MIMO技術,以2.3GHz頻段進行傳輸展示,公司預計在今年年底與全球多家電信業者合作,針對採用MDM9200以及MDM9600解決方案的TD LTE產品進行行動測試,預計在明年年中正式量產,同時投入商用市場
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