本帖最後由 ADee 於 10-06-17 06:01 編輯
動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory，DRAM)屬
於一種揮發性記憶體(volatile memory)，主要的作用原理是利用電容內
儲存電荷的多寡來代表一個二進位位元(bit)是1還是0。由於在現實中電容
會有漏電的現象，導致電位差不足而使記憶消失，因此除非電容經常周期
性地充電，否則無法確保記憶長存。由於這種需要定時刷新的特性，因此
被稱為「動態」記憶體。相對來說，「靜態」記憶體(SRAM)只要存入資料
後，縱使不刷新也不會遺失記憶。 DRAM的記憶單元與SRAM相比，
DRAM的優勢在於結構簡單，每一個位元的資料都只需一個電容跟一個電
晶體來處理，相比之下在SRAM上一個位元通常需要六個電晶體。因此，
DRAM擁有高密度，低成本的優點，但是它也有存取速度較慢，耗電

量較大的缺點。