2010-03-25 工商時報 【記者李淑惠／台北報導】
DRAM龍頭大廠三星半導體昨（24）日下午生產線意外跳電，旗下位於企興（Kiheung）的12吋廠與8吋廠，分別負責生產NAND Flash、利基型DRAM產線跳電長達30分鐘至40分鐘，由於情形不明，廠商相繼縮手，同步停止DRAM、NAND Flash報價。三星記憶體顆粒供應量高居全球第一，龍頭大廠產能中斷無疑對DRAM、NAND Flash供應雪上加霜。
DRAM供不應求情況恐怕將雪上加霜！三星半導體昨日下午驚傳跳電，三星旗下企興廠不明原因間歇性跳電，記憶體模組廠商表示，跳電的生產線為一條新的12吋產線，以及一座舊的的8吋廠，其中12吋廠以生產NAND Flash為主，8吋廠則是主攻利基型DRAM，跳電時間長達30分鐘至40分鐘。
消息來源指出，三星的生產線集中在2大廠區，其中之一就是昨日下午跳電的企興廠，由於三星的電力供應是連結整個廠區，消息來源指出，電力中斷實際上是牽涉到5條線至6條線的電力供應，在狀況不明之下，廠商已經暫時停止報價，待今日狀況進一步明朗之後，再作打算。
國內顆粒業者表示，三星跳電的DRAM生產線並非主流規格，主要以生產靜態隨機存取記憶體（SDR），以及DDR1為主，因此對於大宗標準型DRAM衝擊不大，主要衝擊應該會落在NAND Flash供應上，況且半導體廠都有不斷電系統，暫時性的電力中斷應該可以在幾個小時之內，恢復生產。
記憶體模組廠商分析，由於狀況不明，市場預期缺貨心理衝擊，會比實際短少的產能更大，在預期拿不到貨之下，是不是會刺激廠商更積極搶貨，還有待觀察。
三星半導體發言管道昨日則表示，電力暫時中斷對整體的產能供應影響並不大，然國內的記憶體模組廠、顆粒廠仍密切注意三星跳電對產業造成的衝擊。
三星為NAND Flash、DRAM龍頭大廠，原本今年供應就屬於短缺狀態，三星間歇性跳電意外對今年供需再添變數，NAND Flash、DRAM概念股將強勢反應。