2010-03-23 新聞速報 【時報記者沈培華台北報導】
研究機構集邦科技表示，今年到2012年，DRAM產業在產能擴充、資本支出、浸潤式機台供給有限，以及40nm以下製程轉進難度高影響，DRAM位元成長有限。DRAM需求則在全球景氣復甦，帶動消費者及企業換機潮，以及智慧型手機帶動行動記憶體需求大幅成長下，DRAM需求強勁，預估未來三年，DRAM產業有機會連續獲利。
集邦指出，過去十幾年來，DRAM產業幾乎每三年為一景氣循環周期，以DRAM廠的營業獲利率分析，2001至2003年DRAM產業連續三年虧損，2004至2006年轉為連續三年獲利，2007至2009年又落入連續三年虧損的循環，今年，DRAM廠終於擺脫三年虧損，進入獲利循環開始；由於全球經濟景氣復甦，Window 7帶動消費者、企業換機潮，加上資本支出成長有限，製程轉進出現瓶頸，DRAM可望再走向正向循環，未來三年連續獲利可期。
去年下半年開始，全球景氣逐漸復甦，國際貨幣基金(IMF)上調今年全球GDP預測，從3.1%上修至3.9%，世界銀行(World Bank)最新預測，今年中國GDP增長率將超過去年的8.7%為9.5%，顯示今年中國仍為全球性經濟成長的動能。
此外，微軟在2007年推出的Windows Vista未能成功帶動換機潮，但在去年10月推出Windows 7，可望在帶動消費者及企業PC換機潮，集邦科技預計，在未來三年每年PC出貨量成長將達12%到17%。
手機市場方面，集邦預估，智慧型手機今年成長率將達28.6%。智慧型手機出貨量成長，激勵Mobile DRAM需求大幅成長。去年智慧型手機搭載的Mobile DRAM主流容量為128MB，今年新款智慧型手機，搭載的mobile DRAM容量高達256MB。而下世代的智慧型手機搭載的Mobile DRAM規格再度提高至512MB，出貨量及搭載量皆大幅成長的情況下，預計Mobile DRAM為今年DRAM需求成長另一強大動能。
蘋果電腦(Apple)的iPad為今年Mobile DRAM需求成長的另一動能，iPad預計今年4月3日在美國開賣，集邦預估今年將熱賣750萬台，預計搭載Mobile DRAM容量至少為512MB，對行動記憶體總需求成長將再往上提升，促使三星、海力士、爾必達等DRAM廠大幅增加Mobile DRAM的投片量，排擠到標準型DRAM的產能。
2008年全球經濟下半年面臨金融風暴強襲，導致消費性需求急凍，DRAM廠商均嚴重虧損，大部份DRAM廠商亦在2008第四季開始減產以及8吋廠房去化。今年首季，雖全球景氣已逐漸復甦，DRAM廠商亦逐漸恢復產能，然而，目前八吋產能已幾乎全面去化，全球DRAM產能仍較2008年第二季產能高峰減少20%。由於DRAM廠商新蓋廠房需要2至3年時間才能設備移入，未來兩年內新增的產能，除了先前已蓋好廠房的三星將新增40K產能以及南科(2408)預計新增的15K產能外，未來兩年難以大幅增加產能。
集邦指出，DRAM廠商在2008年第四季在金融風暴的衝擊下，虧損大幅擴大，面臨了營運資金短缺及無力償還債務的危機，為求生存，各DRAM廠商皆大幅降低2009年資本支出。今年資本支出在DRAM廠商連續三年虧損下，能投入的金額也將有限，目前DRAM廠商計劃今年資本支出為83.6億美金，雖已較去年成長93%然而與DRAM廠商歷史資本支出相較，仍屬較低水位。預計未來三年DRAM廠商在獲利的狀況下，資本支出將會穩健成長。
在製程轉進設備方面，50nm以下製程皆需使用浸潤式機台，除DRAM產業外，其餘半導體廠商如台積電、聯電亦需使用到浸潤式機台，目前浸潤式機台供應商ASML市佔率高達9成以上，在滿單的狀況下，各DRAM廠商拿到浸潤式機台時間大多具不確定性，也使DRAM廠在製程轉進速度受限於機台取得時程而可能延後。
在製程轉進方面，目前僅三星已量產4xnm，海力士及爾必達計畫今年第二季才量產4xnm，一旦製程轉進稍有不順，將造成今年大缺貨。明年各DRAM廠商即使順利轉進40nm製程，然而進入4xnm以下製程難度加大，投資也要再增加，集邦預估，2011-2012在產能擴充有限，40nm以下製程轉進不易下，年DRAM位元成長將最高達40%左右。