勁永：DRAM與NAND Flash陸續於Q2及Q3缺貨
2010/02/25 17:59 中央社
(中央社記者張建中台北2010年2月25日電)記憶體模組廠勁永國際 (6145) 董事長呂采妮看好第2、3季記憶體市況，預期第2季DRAM市場將供不應求，NAND Flash 市場也將於第3季缺貨。
呂采妮表示，中國農曆年後市場開始回補庫存，帶動動態隨機存取記憶體 (DRAM)需求增溫，預期第2季(Q2 )DRAM 製造廠製程技術轉換，恐將影響供應短少，致市場出現缺貨情況。
其中，由於供應商普遍將多數產能轉換生產DDR3，呂采妮指出，部份通路仍存在對DDR2需求，因此在產能排擠下，DDR2缺貨情況將會較DDR3嚴重。
至於儲存型快閃記憶體 (NAND Flash)部分，呂采妮說，因固態硬碟 (SSD)需求增溫，加上蘋果需求強勁，預期第3季也將出現缺貨情況。
為拓展SSD等工業控制應用市場，勁永新成立一業務單位，呂采妮預期，今年工控產品比重將約5%。
呂采妮表示，推廣品牌及擴展通路佈建是勁永今年營運重點，產能不足部分將外包因應，中國、印度、巴西及俄羅斯等是今年重點發展區域；預期今年合併營收成長率應可高於去年，挑戰2成水準。