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來源:
財經刊物
發佈於 2009-06-02 05:48
中國3G開台 全新宏捷樂
【經濟日報╱記者詹惠珠/台北報導】 2009.06.02 04:08 am
中國3G正式開台,帶動市場對功率放大器(PA)的需求,砷化鎵(GaAs)產業從4月起全面好轉,其中全新光電(2455)二大客戶TriQuint Semiconductor與穩懋半導體下單激增,5月營收可望突破1.2億元,創下單月歷史新高。
昨(1)日掛牌上櫃的宏捷(8086),隨來自山寨機5至6月的訂單大增,昨天掛牌單日漲幅逾91%,新股上市蜜月行情可期。
金融海嘯後,國際砷化鎵大廠資本支出保守,使國內二廠砷化鎵晶圓代工廠宏捷和穩懋代工單大增,上游磊晶廠全新業績更超出預期,使全新5月營收創下單月歷史新高。
宏捷董事長祈幼銘表示,宏捷過去只是主要客戶Skyworks產能調節的水庫,但現在雙方已開始同步驗證下一代的新產品。
法人指出,PA是手機發射端重要元件,主要是用來加強訊號的功率,每支2G手機必須搭配一顆PA,到了3G手機,則要有四至六顆的PA,砷化鎵HBT(異質接面雙載子電晶體)就是生產PA的元件。
因此,砷化鎵今年將隨3G普及化而開花結果,根據Strategy Analytics的統計,全世界3G手機用戶今年底將達到1.6億到1.7億戶,到2010年將激增到10億戶,讓砷化鎵廠對今、明年營運展望相當樂觀。
新聞辭典》砷化鎵(GaAs)
砷化鎵是III-V族半導體材料,相對於矽(Si),具有高電子傳輸速度、耗電量小、雜訊低、線性度佳不易失真、耐高電壓等特性,因此能夠符合高頻、高速通訊元件的特性要求,在通訊元件要求輕、薄、短、小趨勢下,現在已成為手機和無線區域網路不可缺的重要設計。
砷化鎵的兩大技術分為HBT(異質接面雙載子電晶體)和pHEMT (假晶高速電子移動電晶體),HBT技術是手機上功率放大器(PA)的最佳選擇,手機切換器(switch)的主流技術則是pHEMT。
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