晶圓代工廠聯電（2303）昨（20）日宣布，超微新推出的旗艦級繪圖卡Radeon R9 Fury X，採用聯電直通矽晶穿孔（TSV）技術，並已在聯電新加坡12吋特殊技術晶圓廠Fab 12i量產出貨。
聯電2013年時將位於新加坡的12吋晶圓廠Fab 12i，打造為引領先進特殊技術研發製造的基地「Center of Excellence」，該特殊技術中心導入包括包含背照式CMOS影像感測器（BSI CMOS）、嵌入式記憶體、高壓應用產品、TSV等技術，讓聯電充分掌握跨入新市場的契機。
超微日前正式發表研發代號為「Fiji」的繪圖晶片，首創將高頻寬記憶體（HBM）整合至晶片上，並基於Fiji晶片發表新一代Radeon R9 Fury X系列繪圖卡。Fiji晶片是超微採用全新架構的繪圖晶片，享有史上最高的繪圖晶片記憶體頻寬，首創將HBM整合至晶片上，帶來較GDDR5高出60％的記憶體頻寬，同時採用嶄新4096位元記憶體介面，每瓦效能為GDDR5的4倍。
其中，超微Radeon R9 Fury X繪圖卡中採用的繪圖晶片，採用了聯電TSV製程及晶粒堆疊技術，在矽中介層上連結超微提供的HBM規格DRAM及繪圖晶片。
聯電市場行銷副總暨TSV技術委員會共同主席簡山傑表示，超微致力於將頂尖繪圖晶片帶入市場，這次量產里程碑彰顯了聯電與超微在TSV技術上緊密合作下的成果，未來聯電期盼與超微繼續攜手合作。
超微資深院士Bryan Black表示，Radeon R9 Fury X從開始研發到量產階段，聯電皆採用創新技術打造客戶產品，這是超微選擇聯電合作矽中介層及相關TSV技術的關鍵因素。聯電此次順利將TSV技術運用在超微最新的高效能繪圖晶片上，再次證明了其堅實的專業能力，很榮幸能擁有聯電作為超微的供應鏈夥伴，協助推出全新Radeon系列產品。
超微提供的繪圖晶片與HBM堆疊晶粒，皆置放於聯電TSV製程的中介層上，透過CMOS線路重布層（redistribution layer）與先進的微凸塊（micro-bumping）技術，這些晶片之間可於中介層彼此連通，因此得以實現Radeon R9 Fury X絕佳的效能與面積。(工商時報)