國際記憶體大廠今年雖拉高資本支出，但主要目的是要加快20奈米以下先進製程微縮，而隨著美光、東芝、英特爾、新帝（SanDisk）新製程DRAM或NAND Flash產能在第2季陸續開出，後段封測廠力成（6239）直接受惠，第2季起將重拾成長動能，今年營收有機會逐季走高到年底。
力成去年全年營收年增6.5％達400.39億元，為歷史次高，平均毛利率上升2.6個百分點達16.6％，全年營業利益42.32億元，年增46.6％，稅後淨利32.40億元，與2013年虧損32.05億元相較已由虧轉盈，每股淨利4.24元。力成董事會已決議配發3元現金股利，股息配發率約7成，以昨日收盤價54.9元計算，股息殖利率達5.5％。
力成今年前2個月營收61.48億元，年增4.0％，3月因訂單回流及工作天數增加，營收可望回升到31～32億元左右，第1季營收約季減5％，但毛利率可望維持在17％左右水準。而力成第1季營運淡季不淡，主要是受惠美光及東芝擴大委外。
今年記憶體廠的營運重頭戲鎖定在製程微縮，大客戶美光今年DRAM積極轉進20奈米，東芝NAND Flash也開始拉高15奈米投片比重。對力成來說，上游客戶製程微縮會增加DRAM或NAND Flash顆粒數，有助於封裝代工接單，且新製程需要測試時間較長，有助提振測試生產線的產能利用率。
力成目前仍是美光日本廣島廠Mobile DRAM最主要封裝及測試代工廠，美光台灣廠及轉投資華亞科的DRAM產能，美光仍維持自行測試，但封裝已開始交由力成代工。而力成與美光合資的西安廠，明年第1季開始進入量產後，美光將會把8成以上DRAM封裝業務交給力成代工。