2024/11/23 21:45  
台積電1.6奈米技術升級，新挑戰也出現。（彭博）
吳孟峰／核稿編輯
〔財經頻道／綜合報導〕台積電預計將於2026年底量產採用A16（1.6奈米）製程技術首批晶片。tomshardware報導指出，新的生產製程採用台積電的超級電源軌（SPR）背面電力傳輸網路（BSPDN，晶背供電），可實現增強的電力傳輸（透過晶片背面傳送所有電力）和更高的電晶體密度。但是，雖然此BSPDN解決了一些挑戰，但它也增加其他挑戰，因此需要額外的設計工作。
台積電的A16製程將使用環柵 （GAAFET） 奈米片電晶體，其架構類似於台積電的N2系列製程技術（2奈米）的架構，並包括背面電源軌，以增強功率傳輸並提高電晶體密度。與N2P製造技術相比，A16預計在相同電壓和複雜度下實現 8%-10%的效能增益，或在相同頻率和電晶體數量下降低 15%-20% 的功耗。
此外，台積電預計高階AI處理器的晶片密度將增加1.07倍至1.10倍，具體取決於所使用的電晶體類型。
台積電的超級電源軌透過專門的接點，將背面電力傳輸網路直接連接到每個電晶體的源極，從而最大限度地減少電線長度和電阻，從而最大限度地提高性能和電源效率。從生產角度來看，這種實作是最複雜的BSPDN設計之一。
根據台積電官網提供資訊，獨特的backside contact技術能夠維持與傳統正面供電下相同的閘極密度（Gate Density） 、布局版框尺寸（Layout Footprint）和元件寬度調節的彈性，因此可以提供最佳的密度和速度上的優勢，這也是業界首創的技術。
tomshardware指出，然而，先進的BSPDN實施也意味著晶片設計人員必須完全重新設計其電源傳輸網絡，以新的方式進行佈線，從而應用新的佈局佈線策略，這是可以預料的。此外，他們還必須採取一些散熱措施，因為晶片的熱點現在將位於一組電線下方，使散熱變得更加困難。