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來源:財經刊物   發佈於 2011-11-10 08:16

力晶衝刺NAND 轉型成功

2011-11-10 工商時報 【記者李淑惠/台北報導】
力晶(5346)董事長黃崇仁是台灣任職時間最長的DRAM廠CEO,昨日黃崇仁親自宣布,明年1月DRAM產能將永久性低於2成,NAND Flash投片量將首度超越DRAM,成為轉型成功的第一個指標。
黃崇仁說,DRAM是力晶的歷史包袱,力晶曾經是最大的DRAM廠,但此刻起,力晶已不再是DRAM廠。
力晶繼退出標準型DRAM製造之後,在DRAM的產能、產值上有更明顯的淡出動作。黃崇仁昨日親自宣布,明年1月起,DRAM產能將永久性低於2成,也就是投片量將不超過2萬片,火力轉向NAND Flash,到年底,力晶的12吋廠將會Tune成DRAM、NAND可互換的生產線,保留DRAM技術的研發但是不投資產能,明年僅存的DRAM產能將進入30奈米製程,生產4Gb顆粒。
黃崇仁直言,過去自己是DRAM的大多頭,2007年之後卻有所改變,因為力晶今年初、年中、明年初分別量產65奈米、40奈米、30奈米製程,1年之內技術更迭2至3個世代,但是iPad重挫PC的需求,衝擊的程度無人可預測,DRAM位元出貨量成長已經缺乏動能,繼續投資、製程微縮沒有太大意義。
反觀NAND,10月NAND Flash的全球產值首度超越DRAM,同樣每月100萬片的產能,以40奈米技術來看,NAND在同一片12吋晶圓上創造更高的產值,加上NAND廠壽命長,70奈米的技術現在仍堪用,負擔的折舊攤提壓力沒有DRAM廠大,微縮製程的激烈程度也不如DRAM廠,以三星、東芝兩家大廠在NAND打得你死我活,價格卻沒殺到現金成本以下過,可見一斑。
力晶在記憶體業務中,明年以自主技術生產的IDM NAND Flash將佔產能20%至25%;至於PC DRAM明年1月起產能比重僅15%至20%,晶圓代工占產能約60%,產能、產值均淡出DRAM。

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