聯電爾必達力成 合攻3D IC
【經濟日報╱記者簡永祥／台北報導】 2010.06.22 04:19 am

聯電、爾必達、力成科技昨天宣布簽訂技術合作協議，右起為爾必達社長坂本幸雄、聯電執行長孫世偉、聯電副總經理簡山傑、力成科技董事長蔡篤恭。
記者陳正興／攝影
聯電（2303）、爾必達（Elpida）及力成（6239）昨（21）日宣布，三方將結合在三維（3D）IC的設計、製造與封裝等優勢，投入開發整合邏輯晶片及動態隨機存取記憶體（DRAM）的3D IC完整解決方案，並導入聯電的28奈米製程生產，2012年首顆整合晶片將正式量產。
三家公司選定以矽晶圓穿孔（TSV）技術為基礎，進行TSV 3D晶片開發。優先切入整合基頻、射頻、儲存型快閃記憶體（NAND Flash）及DRAM等整合性晶片，搶食追求輕薄短小的手機及數位相機等消費性電子產品市場。
昨天三家公司由聯電執行長孫世偉、爾必達社長坂本幸雄及力成董事長蔡篤恭共同簽署技術合作協議。
孫世偉強調，爾必達在聯電有多年的合作關係，去年首度以TSV技術，成功開發80億位元組的DRAM，聯電也完成28奈米邏輯技術與邏輯設計介面，力成則在記憶體堆疊有深厚的技術，透過三方在TSV的優勢結合，將縮短提供TSV 3D晶片整體解決方案的時程，成為摩爾定律外的另一個選擇。
爾必達董事兼技術長安達隆郎表示，TVS技術最大的優勢是可以在邏輯與DRAM元件間建立大量的I／O連結，可大幅增加數據傳輸的速率並且減少功率消耗，使新型式的高效能元件能夠運作，這項擇術必須有值得信賴的邏輯晶圓專工夥伴才能達成這個目標。
聯電副總暨先進技術開發處長簡山傑表示，針對TSV 3D晶片的前段製程研發，聯電將與爾必達在日本共同開發，未來生產，若是聯電的客戶，將入在聯電台灣的晶圓廠以28奈米先進製程生產，封裝將由力成負責。