海力士無錫廠進入40奈米級量產階段2010/06/09-嚴思涵
海力士開始在大陸量產40奈米級製程DRAM，預計年底可開發38奈米製程DRAM，並進行量產。法新社

據大陸媒體表示，海力士(Hynix)在大陸無錫廠採用最先進40奈米級製程的DRAM記憶體廠，已進入量產階段，這是海力士繼南韓京畿道利川廠後，另一個開始進行44奈米製程DRAM量產的廠房。
海力士在大陸生產44奈米製程DRAM產品，目前佔整體DRAM數量15%的44奈米製程產品，至年底前擴大至50%。44奈米製程相較於原本的54奈米製程，可提高DRAM生產量60%以上，扮演強化產品價格競爭力的決定性角色。
至目前為止全球僅三星電子(Samsung Electronics)及海力士擁有40奈米級製程DRAM生產技術。
海力士2009年11月緊追三星電子之後，在南韓京畿道利川廠以40奈米級製程生產DRAM。7個月後也開始在大陸生產44奈米製程DRAM，欲大幅調升產量以確保在DRAM業界的領先地位。
海力士為儘快將原本的54奈米製程轉換為44奈米製程，將2010年原定資本額2.3兆韓元向上調整約33%，提高至3.5兆韓元。海力士內部人員表示，在大陸廠生產的44奈米製程DRAM產量比重將逐漸增加。
繼44奈米製程之後，海力士年底可望開發並量產38奈米製程DRAM，繼續加速半導體微細工程轉換，集中開發次世代產品，拉開與競爭業者的成本及技術競爭力差距。