2009年第二季全球景氣在歷經金融海嘯衝擊後自谷底逐季攀升， DRAM 價格亦伴隨景氣回復同步自谷底走揚。
DIGITIMES Research分析師柴煥欣說明，2006年以來，包括台、美、日等 DRAM 廠即因產品價格持續下跌而處於長期虧損窘境；在金融海嘯期間，更因不耐景氣嚴寒，除削減資本支出、停止原先擴廠計畫外，亦先後採取減產、裁員、關廠等策略因應，為的就是保有手中現金。
至2009年第四季前， DRAM 廠商對景氣展望仍相當保守，加上缺乏足夠現金部位提供購料投片，即使面對來自PC市場需求逐季升溫，DRAM供給增加亦相對有限，這也是DRAM價格自2009年第二季至2010年第二季之間，得以維持將近5季榮景的重要原因。
然而，2010年第二季以來，先有三星電子(Samsung Electronics)宣布26兆韓元的投資計畫，率先將30奈米製程導入量產，並大幅擴充記憶體產能；加上歐債風暴影響，來自PC市場對DRAM的需求頓時減弱，兩大因素亦使得DRAM價格加速下滑，1Gb DDR3現貨價從2010年第二季的3.08美元，跌至2010年第四季1.16美元，跌幅達62%，且至12月都尚未見到止跌回穩的跡象。
柴煥欣分析，事實上，除三星以外的主要DRAM廠，在產能擴充的腳步都顯得相當保守，但隨先進製程佔產出比重提高，產能依然出現明顯成長，以65奈米製程升級至50奈米製程，產能即可增加50%，從50奈米製程轉換至40奈米製程，產能將更進一步成長45%。
依據各 DRAM 廠所開出產能分析，柴煥欣預估， 2010年全球 DRAM 位元供給量將達20.4億Gb，較2009年的13.6億Gb成長49.4%。 2011年全球DRAM位元供給量將達32.3億Gb，較 2010年的20.4億Gb更進一步成長58.8%， 2011年DRAM位元供給量大幅成長的原因則來自於先進製程的升級，其次才是來自於產能擴增。
包括美光、南科、華亞科、瑞晶、爾必達等DRAM大廠，45/40奈米製程產能將於2011年大量開出，且先進製程佔營收比重將會逐季提高，柴煥欣認為，這意味著2008年下半以來DRAM控制產能擴張的時期將告一段落，轉而進入透過製程升級來擴張產能的新時期，這也將會是影響2011年全球DRAM市場景氣榮枯的最關鍵因素。