【時報-台北電】根據TrendForce最新調查，三星、SK海力士和美光分別於2024年上半年和第三季，提交首批HBM3e 12hi樣品，目前處於驗證階段。其中，SK海力士及美光驗證進度較快，有望於2024年底完成驗證。　近期市場對於2025年高頻寬記憶體（HBM）可能供過於求的擔憂加劇。TrendForce資深研究副總吳雅婷表示，由於2025年廠商能否大量轉進HBM3e，仍是未知數，且量產HBM3e 12hi的學習曲線長，因此，2025年產能過剩之說，目前難以判斷。　市場傳出，因部分DRAM供應商積極增加矽穿孔（Through-Silicon Via TSV）製程產能，將造成2025出現供過於求與價格下滑的可能。　根據兩家韓系DRAM廠商目前的TSV產能提升計畫，三星將從2024年底的單月120K至2025年底增加為單月170K，提升幅度超過40％；而SK海力士在同期的月產能提升比例預估為25％。　但由於廠商下一代的HBM產品，皆尚未完全通過驗證，產能提升規劃是否能落實，仍有待觀察。　吳雅婷表示，從過去HBM3與HBM3e世代的量產歷程來看，當時8hi產品的良率，至少歷經兩個季度的學習曲線，才達到穩定，有鑑於此，當市場需求快速轉向HBM3e 12hi產品時，推測學習曲線，也無法明顯縮短。　此外，輝達（NVIDIA）的B200、GB200，和超微（AMD）的MI325、MI350，都將採用HBM3e 12hi，由於整機造價高昂，對HBM穩定度要求更嚴苛，成為HBM3e 12hi量產過程的變數。　TrendForce預估，受AI平台積極搭載新世代HBM產品帶動，2025年HBM需求位元，將有逾80％，落在HBM3e世代產品上，其中，12hi的占比將超過一半，成為2025年下半年AI主要競爭廠商爭相下訂的主流產品，其次則是8hi。　因此，TrendForce推測，HBM出現供過於求，最有可能發生在HBM2e、HBM3等舊世代產品上，至於對各DRAM供應商的影響程度，將取決於各家的產品組合。　TrendForce對DRAM產業展望維持不變，預估2025年HBM將可貢獻10％的DRAM總位元產出，較2024年成長一倍。由於HBM平均單價高，估計，對DRAM產業總市值的貢獻度將突破30％。(新聞來源 : 工商時報一李娟萍／台北報導)