2014/01/02 12:18 【時報-記者柯婉琇綜合外電報導】
日經新聞報導，日本東芝公司與南韓SK海力士，最快將在2016財年攜手量產新一代記憶體晶片「磁電阻式隨機存取記憶體」（Magnetoresistive Random Access Memory， MRAM），較美國競爭對手美光科技提前兩年打進市場。
MRAM晶片在電源被切斷時亦可保留資料，與目前的主流DRAM晶片相比，新一代晶片的儲存容量提高到10倍，卻只需要三分之二的電力。
使用MRAM晶片取代一般的記憶體晶片，可望延長設備的電池壽命，並加快影音檔案等大容量數據的傳輸，亦為小尺寸電池與其他零件舖路，將促進智慧眼鏡與手錶等穿戴式裝置的發展。
東芝與SK海力士在2011年同意共同開發MRAM晶片，計畫在2014年度由海力士的主要晶片廠進行試產，並最快在2016年度投入量產。若MRAM晶片需求攀升，兩家公司也有計畫設立合資企業，可能斥資約1000億日圓，在日本或南韓打造一條專用生產線。
目前美光與約20家美國、日本企業合力開發MRAM晶片技術，預計在2018年度交由美光子公司爾必達進行量產。此外，南韓三星電子也在進行相關研發。