聯電（2303）和美商Kilopass攜手，進行先進製程28奈米矽智財合作，聯電Poly SiON和High-K/Metal Gate製程平台將提供Kilopass非揮發性記憶體矽智財。
聯電與半導體邏輯非揮發性記憶體（NVM）矽智財領導廠商Kilopass，昨（28）日共同宣布雙方已簽署技術開發協議，Kilopass非揮發性記憶體矽智財將於聯電兩個28奈米先進製程平台上提供，分別為適用於生產可攜式裝置產品系統單晶片的高介電質金屬閘（High-k/Metal Gate）28HPM，以及受消費性電子產品系統單晶片設計公司青睞的多晶矽（Poly/SiON）28HLP製程。
聯電28奈米製程的晶片閘極密度為40奈米製程的兩倍，28HLP多晶矽（Poly/SiON）製程具成本效益。為配合系統單晶片設計公司不同的電源需求，此製程提供了多個電壓選項：1.8V、2.5V和2.5／3.3V。而28HPM高介電質金屬閘（High-k/Metal Gate）製程，則提供了臨界電壓選項、記憶體儲存單元和降頻／超頻功能，有助於系統單晶片設計公司大幅提高產品整體效能和電池續航力。
聯電客戶工程暨矽智財研發設計支援副總簡山傑表示，為了確保客戶在28奈米製程上，不僅可以採用聯電eFlash、eE2PROM、eMTP、eOTP和eFuse的矽智財，也能獲取最佳第三方廠商的非揮發性記憶體矽智財，聯電十分樂意與Kilopass公司持續合作，以確保其多元化的反熔絲非揮發性記憶體（anti-fuse NVM）矽智財產品，能在其28奈米製程平台上提供給客戶採用。
Kilopass公司董事長暨執行長Charlie Cheng表示。在聯電28奈米先進製程平台上提供其非揮發性記憶體（NVM）矽智財產品，這樣的合作為兩家公司創造了雙贏。對於聯電來說，將可在其先進製程平台上，為客戶提供更廣泛的矽智財產品組合；對於Kilopass而言，可將業務範圍拓展到聯電28奈米製程市占率日益提升的行動設備與消費性電子系統單晶片產品市場。