聯電(2303)南科擴廠，今早舉辦動土典禮；聯電Fab 12A第5、6期廠房預計新增投資80億美元，專攻28奈米以下製程，月產能估新增12吋晶圓5萬片。
繼台積電南科14廠第5期於上個月動土、預計將導入20奈米產能；聯電(2303)Fab 12A第5、6期廠房的動土典禮於今(24日)在南科舉行。
聯電董事長洪嘉聰指出，Fab 12A第5、6期廠房將再投入80億美元支出，專攻28、20、14奈米製程生產，預計在明年下半年進行機台移入。Fab 12A第1-4期廠房預計資本支出約80億美元，預計新建的第5、6期廠房投資將達到同樣金額。
聯電目前有一座6吋晶圓、7座8吋晶圓和2座12吋晶圓廠，其中，12吋晶圓廠分別為位於新加坡的Fab 12i和位於南科的Fab 12A。
聯電是於1999年11月進駐南科，興建在台灣的第一座12吋晶圓廠Fab 12A。聯電Fab 12A在增加第5、6期廠房之後，潔淨室總面積將達5萬3千平方公尺，相當於10座美式足球場大小，增加超過2600個工作機會，最大規劃月產能將從8萬片提升至13萬片，加上規劃中的第7、8期廠房，Fab 12A總計月產能將達18萬片。