華邦電今(25)日公布今年第1季稅後純損為6.46億元，每股虧損0.18元，已連3季呈現虧損狀況，華邦電總經理詹東義解釋，第1季外在整體市場仍屬艱辛，46nm Lower Power DRAM 及Pseudo RAM預計於第2季底發表後，下半年成本優勢將可望浮現。
就第1季各產品線來看， Specialty DRAM占總營收比45%、 NOR Flash占39%、Mobile RAM占15%。
詹東義指出，在產業淡季之際，受惠嵌入式市場需求擴展，NOR Flash出貨量呈2位數成長，不過手機用Flash則因價格因素，占Flash的營收比重降低，後市將隨58 nm產品出貨增加及完整的產品線布局，帶動Flash成長並進入車規市場。
詹東義也說，雖硬碟產品出貨量開始逐步回昇，Specialty DRAM因高密度產品價格下跌及處於46nm製程轉換銜接階段，營收表現較上季略減，隨著46nm製程產品出貨量成長及專注於高附加價值與中低密度的終端應用產品，將可減緩Specialty DRAM價格壓力所帶來的負面影響。
另外，Mobile RAM在第1季成長動能來自高密度產品Pseudo RAM(虛擬靜態記憶體)需求上揚，而Lower Power DRAM(低功耗隨機存取記憶體)在手持裝置及週邊模組之市場成長性亦漸入佳境，詹東益表示，46nm Lower Power DRAM 及Pseudo RAM預計將於第2季底發表，並著力開發特定客戶，以質代量，爭取更高的毛利率。
詹東義強調，華邦電致力於中低容量利基型記憶體解決方案，專注於高附加價值產品、3C應用均衡發展及輕晶圓廠（Fab Lite）的經營策略，並透過先進製程微縮以提升成本競爭力，即使因製程轉換面臨較大壓力，但展望後市，陣痛期逐漸度過，下半年可望成本降低優勢逐漸顯現，並促使產品越來越不受短期以及市場競價壓力。