交通大學光電所的王興宗、郭浩中、盧廷昌教授所領導的研究團隊等人，在奈米國家型科技計畫及經濟部學界科專支持下，成功的利用混合式布拉格反射鏡(distributed Bragg reflectors， DBR)製作出室溫電激發氮化鎵材料之垂直型共振腔面射型雷射。本雷射結構具有一組氮化鋁與氮化鎵布拉格反射鏡、七倍的光學波長主動層與一組氧化物反射鏡。此氮化鎵與氮化鋁布拉格反射鏡及主動層是由金屬有機化學汽相沉積法(Metal organic chemical vapor deposition， MOCVD)方式製作。其中氮化鋁與氮化鎵布拉格反射鏡因為具有極大的晶格不匹配的問題，因此我們穿插多層超晶格結構於此反射鏡中藉此減少應力的產生進而增加此反射鏡之反射率，相關內容已發表於Appl. Phys. Lett 期刊並且獲得日本專利。
研發成功室溫光激發之藍光 GaN 面射型雷射（GaN VCSEL），並被國際專業媒體 Compound Semiconductor 與 Laser Focus 報導。由於藍光 GaN面射型雷射發射之光束為圓形，遠優於目前在 Blu-ray 或 HD-DVD 等藍光 DVD 技術採用之邊射型藍光 GaN 半導體雷射，將為下世代藍光光碟機的關鍵元件。自從氮化鎵材料被Nakamura教授成功的以有機金屬化學氣相沈積法(Metal organic chemical vapor deposition， MOCVD)磊晶長成之後，此材料便引起學業界極高的興趣並且投入大量的資金研發。氮化物系列之材料及其合金為直接能隙，因此適於發展高功率與低耗能的光電發光元件，如藍紫外光發光二極體(ultra-violate light emitting diode， LED)或雷射二極體(laser diode， LD)。
氮化鎵面射型藍光雷射(vertical cavity surface emitting diodes， VCSEL)具有一般半導體雷射之優點，如體積小、可靠度高、高效率、壽命長、操作時間短等特色，除此之外，與目前的常使用之邊射型雷射(edge emitting laser， EEL)相比，具有更多的優點，如較低的雷射操作功率、較小的雷射發散角、圓形雷射光束、元件製程技術適於大量生產、磊晶片在未切割及封裝前即可進行晶粒特性檢測，後端的製作成本較低等，因此目前如日本與瑞士等國家正積極的致力於氮化鎵垂直共振腔面射型雷射的開發與設計。
目前此技術將技轉於國內半導體雷射產業的禧通科技，禧通科技主要研發工作項目包括高光電轉換效率之三五族太陽能電池、高效率紅光與紅外光共振腔發光二極體(resonant cavity light emitting diode， RCLED)，以及高功率單模850-nm VCSEL。在VCSEL產品方面，傳統以紅外線LED為光源的安全監控器，存在遠端影像不清晰及攝影機散熱問題，拜850nm面射型雷射(VCSEL)技術提升及成本降低所賜，逐漸取代傳統紅外線LED光源，成為新一代安全監控器的主流；台灣禧通科技導入先進的850nm面射型雷射光源模組，研發出先進面射型雷射光源攝影監視器，成功布局大中國市場，如今更獲與交大光電團隊所研發的藍光面射型雷射技轉，相信可以替下個世代的藍光光碟機及微投影機奪下一片商機。