台積電進軍3D DRAM? 焦佑鈞：台積電若要做 不會半吊子
台積電傳將為輝達生產3D DRAM（動態隨機存取記憶體），進軍先進記憶體市場，引發半導體產業關注。華邦電董事長焦佑鈞昨表示，台積電是追求卓越的公司，不會只做半吊子，若確定要投入，應會先默默準備，等技術成熟後才對外公開。
傳輝達要求 規劃製造、評估建廠
根據The Information報導，台積電正考慮應輝達的要求生產先進記憶體晶片，此舉或將擴大台積電在人工智慧（AI）硬體市場的地位，為台積電開闢新的商機。市場看好這將能擴大台積電在AI硬體市場的領先地位，激勵台積電ADR狂彈超過六％。
焦佑鈞直言，台積電是追求卓越的公司，「不會只做半吊子」，若確定投入，必定會先默默準備，待技術成熟後才對外公開。
報導引述消息來源稱，台積電已著手評估3D DRAM的生產計畫，甚至考慮新建記憶體廠房或收購既有半導體廠進行改造；3D DRAM採用垂直堆疊儲存單元的設計，相較於傳統單層結構能顯著提升儲存容量。
焦佑鈞認為，跨足DRAM領域首先面臨技術掌握問題，台積電須評估是否願意投入相應資金自行掌控技術；其次則是專利問題，這並非單純砸錢即可完成。
報導也提到，雖然台積電握有垂直DRAM相關專利，但從研發到實現大規模量產仍需數年時間，且需面臨記憶體產業週期性波動對利潤率影響。
值得注意的是，台積電與SK海力士先前已有緊密合作關係，由台積電利用先進製程為SK海力士製造HBM4記憶體的基礎晶片（baxse die）；若台積電未來親自跨足3D DRAM製造，不僅將對現有三星、SK海力士與美光的記憶體三強格局帶來極大衝擊，也將重塑全球半導體供應鏈的競爭格局。