DRAM廠上季暴虧，今年升級或轉型尋生機
【時報記者沈培華台北報導】因去年第四季DRAM價格重挫五成，下周一召開法說會的南科(2408)傳單季虧損近百億，所有台系廠去年第四季均大虧，全年僅力晶(5346)有獲利；今年積極往新製程轉進，或是轉型生產非標準型記憶體尋求生機。
去年第四季DRAM報價大跌，南科恐認列鉅額的庫存跌價損失，法人評估南科去年第四季虧損恐達百億元，虧損幅度較前一季增加一倍， 2010年全年淨損約150億元。華亞科(3474)單季虧損則逾30億元，全年虧損約百億元。市場評估茂德(5387)去年第四季也將大虧；力晶則是由盈轉虧，力晶(5346)為去年唯一獲利的台系DRAM廠。
根據集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示，在2010年第三季DRAM廠市佔率調查中，韓系DRAM廠已佔全球市佔率約61.2%，三星一舉超過40%的市占率。在韓系DRAM威脅下，台系DRAM積極往新製程轉進或是轉型生產非標準型記憶體，以強化市場競爭力。
在爾必達集團方面，力晶(5346)今年將持續擴大代工方面的投片量，承接非DRAM類型的代工訂單，標準型DRAM除了45nm製程進入量產，原63nm也於年初轉為生產2Gb顆粒，預計下半年全轉為2Gb產出。
瑞晶(4932)於第一季投片已全數轉為45nm製程，同時二月中開始試產38nm製程，是全台最早導入3xnm製程的廠商，在今年年底前38nm將接近過半，同時年底開始試產32nm。
美光陣營的南科(2408)與華亞科(3474)，50nm製程目前良率穩定在75%-80%，產出量更於去年12月大幅成長，42nm初期試產狀況不錯，預計年中後比例將大幅攀升。
華邦電(2344)則是成功轉型為生產利基型記憶體的DRAM廠，除了利基型DRAM與Mobile DRAM外，亦將提升NOR Flash的比重，並逐步將產能往65nm邁進。
DRAMeXchange表示，由於DRAM廠總是在景氣剛回?即大幅增加資本支出、擴張產能、轉進新製程，而當景氣轉差，面臨跌價壓力及損失時，因成本考量仍持續生產，使DRAM產業價格無法快速回穩，DRAM廠損失持續擴大。
但經歷2007至2009年，長達三年的虧損，市場僅回?一年，DRAM廠又面臨虧損困境，DRAMeXchange認為，在此次下跌趨勢中，無政府紓困力量介入，DRAM廠將節制資本支出，市場機制將使競爭力落後的廠商更快速做出調整的腳步，讓產業回歸正向的發展。因此，DRAMeXchange預期，在今年將有DRAM廠商做出重大方向決策，進而改變DRAM產業的生態發展。