台積電強調,CoWoS是AI訓練及推論的關鍵驅動,後續將推出可整合20個HBM的14倍光罩尺寸CoWoS,預計2028年量產;可整合24個HBM、大於14倍光罩尺寸的版本則預計在2029年就緒。
System on Wafer(SoW)方面,台積電說明,該項創新的晶圓級整合技術, 能整合邏輯與HBM晶粒,以應對AI訓練對運算能力日益增長的需求。SoW使中介層尺寸放大超過40倍光罩尺寸,允許最多整合64個HBM與16個運算晶片,並為實現完整的系統整合提供一個極佳的替代平台。
用於邏輯晶粒整合的SoW-P已自2024年起開始量產。更先進的SoW-X技術可整合邏輯與HBM晶粒,預計2029年就緒。
台積電說明,具備3D互連的SoIC具備9μm接合間距(bond pitch)的N7對N7 SoIC已自2023年開始量產,6μm接合間距版本則於2025年進入量產。SoIC技術將持續微縮至具備6μm接合間距的N2對N2堆疊,預計 2028年開始量產,並於2029年實現具4.5μm接合間距的A14對A14堆疊。