2025/12/31
  

外媒報導，台積電悄悄宣布已開始量產N2製程晶片。該公司並未發布正式新聞稿宣布量產啟動，但先前多次表示N2製程預計在今年第4季實現量產，因此該計畫已達成。（法新社）
〔財經頻道／綜合報導〕綜合外媒報導，台積電悄悄宣布已開始量產採用N2（2奈米）製程晶片。該公司並未發布正式新聞稿宣布量產啟動，但先前曾多次表示N2製程預計在今年第4季實現量產，因此該計畫已達成。
Electronicsweekly報導，根據台積電網站上的一則通知：台積電的N2技術已按計劃於2025年第4季度開始量產。N2技術採用第一代奈米片晶體管技術，在性能和功耗方面實現了「全製程的進步」。聲明還說：台積電N2技術在密度和能效方面將是半導體行業最先進的IMG_1511-1-150x150.webp技術。N2技術採用領先的奈米片晶體管結構，將提供全製程性能和功耗優勢，以滿足日益增長的節能計算需求。
Tomshardwar也報導指出，從效能提升的角度來看，台積電N2的設計目標是在相同功耗下實現10%–15%的效能提升，在相同效能下降低25%–30%的功耗，並且對於包含邏輯、模擬和SRAM的混合設計，電晶體密度比N3E提高 15%。對於純邏輯設計，電晶體密度比N3E高出20%。
台積電的N2製程是該公司首個採用環柵奈米片電晶體（GAA）的製程。在這種電晶體中，柵極完全環繞由水平堆疊奈米片構成的通道。這種幾何結構改善了靜電控制，降低了漏電，並能夠在不犧牲性能或能效的前提下實現更小的電晶體尺寸，最終提高了電晶體密度。
此外，N2製程還在電源傳輸網路中加入了超高性能金屬-絕緣體金屬（SHPMIM）電容器。這些電容器的電容密度是上一代SHDMIM設計的兩倍以上，並將薄層電阻（Rs）和過孔電阻（Rc）降低了50%，從而提高了電源穩定性、性能和整體能效。
台積電執行長魏哲家在10月份的公司財報電話會議上表示：N2晶片的量產進展順利，預計在本季度晚些時候實現，良率良好。預計，在智慧型手機和高性能運算人工智慧應用的推動下，2026年產能爬坡速度將加快。
台積電已開始在台灣高雄附近的Fab 22工廠生產2奈米級晶片。此前，市場預期台積電會在Fab 20工廠（台灣新竹附近）開始提升N2製程晶片的產能，該廠毗鄰其新的全球研發中心，N2系列製程技術正是在該中心研發。Fab 20工廠的量產可能會稍晚。
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