台積電（2330）、力晶兩大集團攜手，透過DRAM與邏輯晶片的真3D堆疊異質整合技術，打造全球最強異質整合晶片，協助客戶打破摩爾定律的限制，領先英特爾、三星等勁敵，為全球首創。該3D整合晶片提供相對於現有高頻寬記憶體（HBM）十倍以上的高速頻寬及數倍容量，為台灣半導體業築起更難超越的高牆。

力晶集團昨（25）日透過旗下客製化產品研發暨智財授權商愛普，宣布這項訊息。這是台灣半導體技術又一大突破，相關產品已開始量產出貨，鎖定區塊鏈、AI、網通等先進應用，過程當中，愛普「小兵立大功」，負責引案、設計、研發等工作，並串連台積電在邏輯晶片代工與3D堆疊製造能力，以及力晶旗下力積電記憶體代工製造能量，打造出世界第一的異質整合晶片。

此次兩大集團合作分工，由愛普提供的VHM（3D堆疊技術記憶體），包含客製化DRAM設計及DRAM與邏輯晶片整合介面的VHM lixnk IP；力積電供應客製化DRAM晶圓代工製造，最後由台積電提供邏輯製程晶圓代工及3D堆疊製造服務。

台積電自十年前開始耕耘先進封裝，陸續開發CoWoS、封裝內封裝乃至逐步發展自先進封裝3Dfabric整合平台，在今年技術論壇上也特別說明先進封裝產能擴充計畫。

力積電表示，邏輯晶片與DRAM的3D整合，是力積電在AI記憶體策略上的最新成果，這項3D技術將可為DRAM的頻寬創造前所未見的可能性，對於AI、網通及圖像處理等特別需要大量頻寬的應用，將有極大的幫助。

愛普表示，半導體封裝技術已從傳統的2D封裝演進到2.5D，再到真正的3D封裝，而2.5D封裝是將多片晶片封裝於同一塊矽中介板上，但真正的3D封裝技術則是以垂直的連接方式，將多片晶片直接立體地互相堆疊，相較於2.5D封裝，邏輯晶片與DRAM的3D整合，將可在顯著降低傳輸功耗的同時，同時大幅提升記憶體的頻寬。

此次推出的3D整合晶片，提供相對高頻寬記憶體 十倍以上的高速頻寬，搭載超過 4GB 記憶體容量，並且是7奈米製程邏輯晶片內存SRAM最大容量的五到十倍。