南科Q2虧損降至66.92億元，預估Q3會繼續縮減
台塑集團旗下DRAM廠南科(2408)公布第二季成績單；第二季稅後虧損66.92億元，每股稅後虧損0.45元，南科第二季虧損金額已較首季的超過百億元有顯著進步。展望第三季，南科資深副總李培瑛表示，DRAM市況將大至持平，單季位元成長季增約25%左右，此外產品組合也將持續改善，非標準型DRAM產品比重可望進一步攀高到45%至50%，另外，成本也將降低，因此第三季虧損將繼縮小。此外，該公司今日也宣布，成功開發國內第一顆TSV四堆疊DDR3 8Gb原型產品，同時也開始DDR4的送樣認証。
南科公佈2012年第二季財務報告，第二季營收101.02億元，較上季增加約15%，營收成長主要因素為第二季出貨量較2012年第一季成長6%，DRAM平均售價成長10%。第二季營業淨損為52.8億元，單季稅後虧損66.92億元。南科第二季單季每股稅後虧損為0.45元(每股虧損依加權平均流通在外股數148.65億股計算)。累計南科今年上半年稅後虧損170.84億元，每股稅後虧損近1.15元，但每股淨值仍是正數，不會有下市危機。
南科於今日法說會上宣布，成功開發國內第一顆TSV四堆疊DDR3 8Gb原型產品。南科指出，為了掌握未來矽穿孔(Through Silicon Via ; TSV為直通矽穿孔封裝技術)3D-IC(Three Dimensional Integrated Circuit)技術，於二年前開始與工研院合作執行經濟部技術處所補助的「業界科專計劃之3D DRAM矽穿孔電極堆疊技術開發計劃」，于日前成功開發出國內第一顆TSV堆疊的8Gb DDR3 SDRAM原型產品。此顆產品係以南科獨立開發的Via-middle TSV技術所生產的2Gb DDR3晶片，堆疊而成一顆8Gb的DDR3 QDP(四層堆疊封裝QDP， Quad-Die Package)。
南科強調，憑藉TSV技術可將晶片與晶片間的導線連結從毫米級縮短到50微米左右，首批工程實驗即達成DDR3-1600以上的速度驗證及高良率的量產水準。鑒於TSV技術在未來行動裝置及高速運算產品上極具潛力，南科將持續推動TSV DRAM產品的開發，以實現2014年前具備量產TSV產品的實力為目標。
另外今日法說會上也宣布，南科DDR4已進入送樣認證階段！南科指出，DDR4記憶體的標準規範已接近JEDEC (電子裝置工程協會) 規格制定完成階段，南科參與主要夥伴的早期認證計劃，已於今年第二季送出30奈米4Gb DDR4工程樣品，且已獲得測試回覆，並於第三季送出高階伺服器用記憶體模組RDIMM及LRDIMM進行認證，計劃於2013年進入小量生產。
南科提到，自家的DDR4產品是與美光共同研發之下世代記憶體，該產品工作電壓可降至1.2V，頻率從1866MHz到3200MHz，符合環保，低功耗，高頻率及高效能需求。更進一步，南科將利用所開發的TSV製程技術，把DDR4容量推升至64GB及128GB LRDIMM，瞄準高規格伺服器市場，提供客戶具高附加價值的解決方案。
此外，在美光宣佈與爾必達合作後，南科認為，可望紓緩DRAM產業供過於求現況，有助穩定產銷秩序，使DRAM產業朝較健康的方向發展，也強調南科與美光合作關係維持不變，雙方共享研發成果（包含專利）共同經營華亞，並以自有品牌進行銷售。南科將持續發展高附加價值及利基型產品線，開發42奈米及30奈米一系列高階伺服器產品及利基型產品，加速產品線的完整性。南科今年上半年位元成長率較去年同期成長39%，預估第三季位元成長將較第二季成長約25%左右。另外在財務規劃方面，南亞科技已於2012年6月12日股東會通過辦理不超過38億股之私募普通股，執行計劃將視公司資金實際需求辦理。