(中央社記者張建中新竹20日電)DRAM市況持續低迷不振，產品價格不斷破底，瑞晶電子第3季由盈轉虧後，10 月虧損進一步擴大，逾新台幣20億元，預期第4季台灣 DRAM廠恐將持續全數虧損。
動態隨機存取記憶體(DRAM)市場嚴重供過於求，產品價格慘跌，南科、華亞科及力晶等第3季虧損同步擴大；連上半年國內唯一獲利的瑞晶，第3季也由盈轉虧，致台灣DRAM廠第3季全數虧損。
南科第3季稅後淨損突破100億元大關，達119.63億元，華亞科虧損70.22億元，力晶虧損66.63億元，瑞晶虧損32.78億元；4家DRAM廠第3季合計虧損達289億元。
在個人電腦市場需求持續低迷不振，市場庫存水位依然過高，達3至4周，高於合理的 2周水準；加上泰國水災衝擊硬碟供應銳減 1/3，影響個人電腦及伺服器等產品正常出貨，對DRAM市場無疑是雪上加霜。
根據集邦科技調查，DDR3 2Gb顆粒合約均價自9月底1.06美元，滑落至11月上旬的1.03美元，下跌約 2.83%。
現貨市場方面，因韓系廠遭個人電腦代工廠砍單，積極轉向現貨市場銷售，致現貨價面臨較大跌價壓力；集邦科技調查，DDR3 2Gb顆粒現貨均價已自 9月底的 1.08美元，滑落至0.7美元，跌幅高達35%。
隨著產品價格不斷滑落，DRAM廠營運表現進一步惡化，瑞晶自結10月毛損率達97.25%，稅後淨損擴大至 20.48億元，較9月虧損激增，每股虧損0.69元。
瑞晶累計前10月毛損率約6.5%，稅後淨損達29.57 億元，每股虧損約1元。
儘管力晶、南科及華亞科積極朝多元化產品發展，其中，力晶代工業務比重已達6成水準，南科非個人電腦DRAM產品營收也已突破5成，減緩DRAM景氣波動衝擊，只是仍無法擺脫虧損窘境。
根據南科預期，DRAM合約價已逼近許多DRAM廠的變動成本，價格再往下空間小，不過，短期DRAM市場需求恐不易大幅提升，今年底前DRAM合約價將在低檔狹幅震盪。
在11及12月產品價格難以急遽翻揚情況下，台灣 DRAM廠營運表現恐難有好轉機會，第4季仍恐將持續呈現全數虧損的窘境。
唯有韓系廠加入減產行列，或產業重整、產能進一步退出市場，才能創造DRAM產業景氣翻揚契機，也是台灣DRAM廠短期營運能否好轉的觀察指標。