鉅亨網記者蔡宗憲 台北
2009 / 11 / 18 星期三 19:15上一則 下一則
拓墣半導體研究中心副理劉舜逢表示，雖然今(2009)年半導體受到上半年的景氣急凍影響，全年產值僅達2072億美元，成長率只有-16.7%的成績單，不過在各國政府積極救市政策下，預估明(2010)年全球半導體產值可成長10%，回到2280億美元水準。
劉舜逢認為，由於地球氣候逐年快速變遷，綠能產業勢將成為未來關注焦點，「節能減碳」議題正夯，全球政府與民間企業紛紛推行相關政策以因應產業發展，歐盟將2012年針對所有進口消費性電子產品，實施符合「EuP 5 Star Charger」規範，此規範主要是提升電子產品的「節能效率」，也成為節能IC的一個助燃劑，提高類比IC廠切入台廠的新機會。
劉舜逢看好台廠切入AC/DC的領域，認為法規的帶動，將使新的類比IC設計廠有機會切進大廠或外國廠的供應鏈；另外由於太陽能產業未來成長性仍高，因此在系統業者追求高效率的輸出效能趨勢下，台廠也將有機會切入太陽能的IC供應鏈。
由於台灣類比IC產值距離全球產值規模仍有一段不小的距離，劉舜逢認為，台灣類比IC廠產值不大的原因，除了切入大廠供應鏈有一定難度，產品的認證也需要時間，加上沒有切入車用市場，因此規模不大，但看好節能法規帶動下，台廠可望切入AC/DC供應鏈，提高產值規模。
另外，由於砷化鎵(GaAs)是半導體材料的一種，具有高頻、抗輻射、耐高溫等特性，可做為高頻及無線通訊之IC元件，其中最主要應用在行動電話與無線網路產品，隨著手機通訊以及安全防禦、消費性電子、光纖與汽車等無線應用領域需快速增加，預估砷化鎵市場將在明年開始回溫，2013年整體砷化鎵與微電子元件市場平均年複合成長率約為 6 %，市場規模可達45億美元。