依據法人對華邦電的最新研究報告指出，因2014年資本支出倍增，擴充產能帶動營運成長，並發展先進製程技術，有助於提升產品單價及獲利表現，給予買進評等。
華邦電為內存廠，主要營收來源為特殊型DRAM，2013年因SK Hynix無錫廠火災事件，DRAM市場供貨吃緊，進而支撐特殊型DRAM價格，並在一線客戶的滲透率持續提升，市佔率增加。 2013年Q4三大產品線佔營收比重分別為特殊型DRAM佔51%、NOR Flash佔38%、Mobile RAM佔11%；就應用市場分佈，Computer佔比重為30%、Communication佔比重37%、 Consumer佔比重為28%，Car和工業佔比重為5%。
近年華邦電生產重心已轉向高附加價值利基型DRAM市場，因此需增添機器設備，製程研發費用與權利金。 2013年公司資本支出21億元，用於製程轉換與設備維修。 2014年資本支將大幅增加至86億元，為增加產能以及投入前段製程設備，機器折舊年限由6年改為8年，因此折舊費用與2013年相當。
目前華邦電位於中科有一座12寸晶圓廠，月產能為3.1萬~3.5萬片12寸晶圓，最高可擴充至6萬片，其中特殊型DRAM月產能為2萬片、Flash為1.4萬片，尚還有擴產空間，故無新建廠區必要。 2014年擴充產能後，有效產能可望由3.3萬片擴增至3.8萬片。製程部分，2013年特殊型DRAM主流製程已推進至46nm製程技術，計劃2014年持續轉進3Xnm製程。
展望2014年，華邦電維持輕晶圓廠轉型的策略，並將部份產能外包，2013年Q3已出租機器設備予力晶，以取得晶圓代工產能，公司已有2顆芯片送至力晶生產，其中1顆已在Q3放量投片，並於11月出貨，另1顆採用40nm製程技術，則在試產階段。
Mobile DRAM部分，Low power DRAM業務於2013下半年已有所進展，2014年可望倍數成長。而NOR Flash的部分，2013年市場產能過剩，殺價競爭嚴重，但公司將推出NOR Flash 1Gb code-storage 的產品線，2014下半年放量，將於2015年貢獻營收。
另外，公司持續將製程微縮，以及擴展高附加價值產品市場，包含良品裸晶(KGD)、工業用及車用等，使毛利率提高，在2014年Q2進入旺季後，整體營運將邁入成長趨勢。