聯電(2303)宣布加入IBM晶片聯盟，共同開發10奈米CMOS製程技術。聯電預計今年第四季28奈米占比為低個位數百分比，下一步直攻14奈米，10奈米為更先進製程。
IBM半導體研發副總Gary Patton表示，IBM聯盟成立至今已逾十年，聯盟夥伴可整合運用其專業知識，團隊研究合作與創新的技術研發，藉此滿足對先進半導體應用產品與日俱增的需求。聯電的加入，將使聯盟的實力更加強大。
聯電執行長顏博文表示，聯電期待與IBM密切合作，借重其深厚的技術專業來縮短聯電10奈米與FinFET的研發週期，為聯電與客戶締造雙贏。
聯電與IBM兩家公司此次的協議，拓展了雙方於2012年簽訂之14奈米FinFET合作協議。擁有IBM的支援與know-how，聯電將可持續提升其內部自行研發的14奈米FinFET技術，針對行動運算與通訊產品，提供低耗電優化技術。雙方計畫開發10奈米製程基礎技術。聯電將指派工程團隊加入位於美國紐約州阿爾巴尼(Albany，New York)的10奈米研發計畫。聯電14奈米FinFET與10奈米未來的製造，則將於聯電位在台灣南科的研發中心進行。