本帖最後由 妙音 於 12-09-22 06:29 編輯
緊追台積電 格羅方德推14奈米 結合20奈米LPM
2012/09/21 17:25 鉅亨網 記者尹慧中 台北
不讓台積電 (2330) ( (US-TSM) )專美於前。GLOBALFOUNDRIES(格羅方德)今(21)日宣布推出專為成長快速的行動市場所設計的新技術14nm-XM，加速其頂尖的發展藍圖並採優化新世代行動裝置的 FinFET電晶體架構；並結合將量產的20奈米LPM製程。
該公司說明，推出的 14nm-XM技術，將為客戶提供 3D「FinFET」電晶體的效能及能源優勢，不僅可降低風險，更能加快上市時間，從而幫助無晶圓廠生態體系維持行動市場的領導地位的同時，開發出新一代的智慧行動裝置。
XM 是「eXtreme Mobility」的縮寫，為業界最頂尖的非平面式架構，真正為行動系統單晶片 (SoC) 設計做了優化，提供從電晶體到系統層級的完整產品解決方案。在 20nm技術節點，相較於目前的 2D 平面式電晶體，這項技術預計可望提升40% - 60%的電池使用壽命。
14nm-XM採用模組化的技術架構，完美結合了14nm的FinFET 元件與 GLOBALFOUNDRIES 公司即將量產的20nm-LPM 製程技術。運用成熟的20nm-LPM技術，讓想利用FinFET SoC 優勢的客戶，能以最快的速度順利轉移。
值得注意的是，GLOBALFOUNDRIES技術研發工作已展開，矽晶片也已透過位於紐約薩拉托加郡的晶圓 8 廠進行測試。初期製程設計套件 (PDKs) 現已開始提供，並預計將於2013 年可提供客戶產品投片。
GLOBALFOUNDRIES 技術長 Gregg Bartlett 表示，GLOBALFOUNDRIES 投入 FinFET 研發已超過 10 年，將以此為基礎讓這項技術得以進入生產階段。有信心透過這項深厚的基礎將可讓我們帶領業界進入 FinFET 的量產階段，就如同在高介電金屬閘極 (HKMG) 技術領域的成就。
格羅方德搶市 優化電晶體架構2012/09/21 14:28 中央社
(中央社記者吳佳穎台北2012年9月21日電)半導體晶圓代工大廠格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)推出14nm-XM技術，可提供 3D「鰭式場效記憶體」(FinFET)電晶體的效能及能源優勢，是專為成長快速的行動市場所設計。
格羅方德透過資料發布表市，新的14nm-XM技術不僅可降低風險，更能加快上市時間，幫助無晶圓廠生態體系維持行動市場的領導地位，也有助開發出新一代的智慧行動裝置。
格羅方德解釋，XM 是「eXtreme Mobility」的縮寫，是業界最頂尖的非平面式架構，可真正為行動系統單晶片 (SoC) 設計做優化，提供從電晶體到系統層級的完整產品解決方案。
格羅方德說，在當前 20nm技術節點，相較於目前的 2D 平面式電晶體，14nm-XM技術預計可望提升40%到60%的電池使用壽命。
格羅方德表示，14nm-XM採用模組化的技術架構，完美結合了14nm的FinFET 元件與 GLOBALFOUNDRIES 公司即將量產的20nm-LPM 製程技術。運用成熟的20nm-LPM 技術，讓想利用 FinFET 系統單晶片優勢的客戶，能以最快的速度順利轉移。技術研發工作已展開，矽晶片也已透過 GLOBALFOUNDRIES 位於紐約薩拉托加郡的晶圓 8 廠進行測試。初期製程設計套件 (PDKs)現已開始提供，並預計將於 2013 年可提供客戶產品投片。