經濟日報｜2026.10.22 12:00
AI高速傳輸需求升溫，薄膜鈮酸鋰（TFLN）技術加速從驗證走向量產，隨著光通訊規格由1.6T邁向3.2T，TFLN憑藉高頻寬、低功耗及低插入損耗等優勢，可望切入高速光調變器市場，並帶動翻晶、重布線層及金凸塊等先進封裝與晶圓級互連技術需求升溫。
法人表示，TFLN已從技術驗證階段邁入商業量產，HyperLight、聯電（2303）及聯穎光電正共同擴大量產平台。其中，聯穎光電的6吋產線已完成客戶驗證，聯電則導入8吋製程。產品規格方面，傳輸速率也正從每通道200G快速升級至400G。
法人分析，相較於矽基調變器在高速化過程中，須在頻寬、插入損耗及驅動電壓之間取得平衡，TFLN利用波克爾效應（Pockels Effect），具備高頻寬、低光損及低驅動電壓等優勢，並有望降低對獨立射頻驅動器（RF Driver）的需求。
隨著TFLN頻寬提升至100至150GHz以上，封裝介面逐漸成為效能提升的關鍵瓶頸，帶動翻晶（Flip-Chip）及凸塊接合技術導入，以縮短驅動器至調變器之間的電性傳輸路徑。在異質整合需求增加下，金凸塊（Gold Bump）相關技術也可望受惠。
展望2027至2030年，法人表示，TFLN不會全面取代矽光子，而是優先切入對頻寬、功耗及訊號品質要求較高的高速光調變器市場，並與其他技術形成互補的異質整合架構，由矽（Si）及氮化矽（SiN）負責被動光路、TFLN負責主動調變、III-V族材料負責雷射，CMOS則負責訊號處理。
法人表示，技術發展方面，2026至2027年，1.6T、每通道200G仍以矽光子為主流；2027至2029年，隨著傳輸規格升級至3.2T、每通道400G，TFLN憑藉130至150GHz以上的頻寬、低半波電壓（Vπ）及低插入損耗等優勢，可望加速滲透市場。
此外，法人補充，隨著TFLN製程由6吋邁向8吋量產，產業競爭焦點將逐步轉向成本控制、良率提升及高速封裝能力，並帶動翻晶（Flip-Chip）、重布線層（RDL）、銅柱（Cu Pillar）及金凸塊（Gold Bump）等晶圓級互連技術需求成長。