三星擬擴產3D NAND？外資：明年產能將拉高近4成
MoneyDJ新聞 2016-06-16 15:07:06
南韓經濟日報(Korea Economic Daily)昨(15)日傳出，三星電子(Samsung Electronics Co.)打算在明(2017)年底前擴充3D NAND型快閃記憶體產能、總共要斥資25兆韓圜，主要擴產的是位於中國西安的廠房、預定今年稍晚會於該廠新設一條3D NAND生產線，另外還將在南韓平澤市的廠房投入資本。
雖然根據韓國時報報導，三星電子已在15日稍早否認上述消息，宣稱3D NAND的投資內容尚未敲定，但分析師似乎認為韓媒的報導內容相當可信。
barron`s.com 16日報導，J.P.摩根發表研究報告指出，三星應該會在今年底將3D NAND的月產能拉高至接近16萬片晶圓(西安廠12萬片、Line 16廠接近4萬片)。三星的西安廠目前已接近產能全開，且該公司還計畫把Line 16廠的部分2D NAND產能轉換為3D。
另外，三星也將善用Line 17廠在二樓的空間，於明年投產3D NAND。依據上述假設，J.P.摩根估計三星明年底的3D NAND月產能將攀升至22萬片(西安廠12萬片、Line 16廠近6萬片、Line 17廠近4萬片)，等於是比今年底的月產能(16萬片)擴充37.5%，並佔業界總體產能的12%。
R.W. Baird分析師Tristan Gerra甫於5月31日發表研究報告指出，三星可能會在今年下半年把一大部分的DRAM產能轉移到NAND型快閃記憶體，同時將18奈米製程產能初步拉高。
Gerra認為，下半年NAND的產業市況相當樂觀，主要是拜iPhone 7的儲存容量增加(該款智慧機應會增添256GB版本)、PC加速採納固態硬碟(SSD)之賜。他說，這會讓NAND定價在下半年穩定走揚。
TheStreet.com 5月20日報導，半導體設備業龍頭廠商應用材料(Applied Materials Inc.)在財報電話會議上指出，投資活動逐漸從DRAM轉到NAND型快閃記憶體，估計今年下半年DRAM的資本支出會年減至少25%，NAND則會年增35%。